IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（電力晶體管：Giant Transistor—GTR,直譯爲巨型晶體管）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓爲600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。下圖是N-IGBT的剖面圖：
IGBT就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大於6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是爲了可靠關斷。
IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。
IGBT有三個端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓後，內部的電子發生轉移（半導體材料的特點，這也是爲什麼用半導體材料做電力電子開關的原因），本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但是加上電壓後，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導電溝道，因爲電子是可以導電的，變成了導體。如果撤掉加在GS兩端的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不可以導電了，變成了絕緣體。
IGBT是—種場控器件，它的開通和關斷由柵極和發射極間電壓UGE決定，當柵射電壓UCE爲正且大於開啓電壓UCE（th）時，MOSFET內形成溝道併爲PNP型晶體管提供基極電流進而使IGBT導通，此時，從P+區注入N-的空穴（少數載流子）對N-區進行電導調製，減小N-區的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態壓降。當柵射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關斷。由此可知，IGBT的驅動原理與MOSFET基本相同。
所以想要驅動IGBT，柵射間電壓UCE爲正且大於開啓電壓UCE（th），纔可保持導通。改變柵射間電壓UCE 使其小於開啓電壓即可使其關斷 。