現在flash芯片容量越來越大，三星瘋了一樣的過段時間就宣佈一次容量又翻倍。雖然很多東西還有些一知半解，但還是做個記錄。
flash是利用浮動門來存儲信息的，類似於MOSFET，但是多一個gate，周圍用絕緣體包着，所以電荷進去了就呆在那裏了。這樣的一個部分叫做一個cell，對於SLC，Single Level Cell(好像是這個的簡寫)，一個cell存儲一個bit。由於多的那個gate裏電荷不同，存儲0和存儲1的單元在讀取信息的時候電流的表現是不一樣的，有個傳感器可以感應到這種不同，從而判別這一位bit是0還是1。
後來又發明了MLC，好像是Multiple Level Cell，就是在一個cell裏存儲兩個bit。這樣傳感器就要判斷一個模擬量來分辨兩位，而不僅僅是0還是1。
AMD下面有個叫spansion的公司，報道說能在一個cell裏存儲4個bit，不過好像要07年才能量產，好像這種技術叫mirror-bit，記不清。
還有一種方法增加flash容量，三星等公司有這樣的芯片，就是利用芯片層疊技術，在一個flash芯片中放2個或者4個容量低的die。
比如三星的K9WAG08U1A由兩塊K9K8G08U0A die組成，K9NBG08U5A由四塊K9K8G08U0A die組成，而K9K8G08U0A是1Gbit*8的，所以K9WAG08U1A就是2Gb*8，而K9NBG08U5A就是4Gb*8，相應的K9NBG08U5A有4個CEn和4個R/Bn，可以進行interleave program。
Intel的SD74系列容量都是SS72系列的一倍，原因同上，就是一個chip裏面包含了兩個die。
die的概念和芯片的概念基本上是等同的，die是沒有封裝的，裸的芯片。