现在产品需要选择一款大容量的NANDfalsh，容量至少一个GBYTE。
下面是三星生产的NANDflash芯片的型号：
PartNumber Organization Operating Voltage(V) Temperature Speed(ns) Package
K9F5608R0D 32Mx8 1.65~1.95 C,I 50 63FBGA
K9F5608U0D 32Mx8 2.7~3.6 C,I 50 48TSOP1,48WSOP1,63FBGA
K9F1208B0C 64Mx8 2.5~ 2.9 C,I 42 48TSOP1
K9F1208R0C 64Mx8 1.65~1.95 C,I 42 63FBGA
K9F1208U0C 64Mx8 2.7~3.6 C,I 42 48TSOP1, 63FBGA
K9F1G08R0A 128Mx8 1.65~1.95 C,I 50 63FBGA
K9F1G08U0A 128Mx8 2.7~3.6 C,I 30 48TSOP1,48WSOP1,63FBGA
K9F1G08U0B 128Mx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1
K9F2G08R0A 256Mx8 1.65~1.95 C,I 25 63FBGA
K9F2G08U0A 256Mx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52ULGA
K9F2G08U0M 256Mx8 2.7~3.6 C,I 30 48TSOP1
K9F4G08U0A 512Mx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52ULGA
K9F4G08U0M 512Mx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52ULGA
K9K4G08U0M 512Mx8 2.7~3.6 C,I 50 48TSOP1
K9K4G08U1M 512Mx8 2.7~3.6 C,I 30 52ULGA
K9K8G08U0A 1Gx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1
K9K8G08U0M 1Gx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52TLGA
K9K8G08U1A 1Gx8 2.7~3.6 C,I 25 52ULGA
K9K8G08U1M 1Gx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52ULGA
K9W8G08U1M 1Gx8 2.7~3.6 C,I 50 48TSOP1
K9WAG08U1A 2Gx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52TLGA
K9WAG08U1M 2Gx8 2.7~3.6 C,I 25 48TSOP1,52TLGA
K9NBG08U5A 4Gx8 2.7~3.6 C,I 50 48TSOP1
可见可以选择的范围有1个G、2个G和4个G。
NANDFLAsh一般有8位或者16位的数据线；6个控制线，分别是：CE、WE、RE、ALE、CLE和R/B。
2440则有相应的NANDFLASH控制器，并产生6位控制信号，把他们直接连在一起就可以了。
目前存在一个问题：2G的flash有两个CE和2个R/B；4G的flsh有4个CE和4个R/B。但是2440的控制器则只有1个CE和一个R/B。那么falsh芯片多余的管教该如何控制呢？是否可用I/O口扩展或者是否有更简单的办法开控制？