爲什麼要把晶體管和場效應管一起講，因爲他們容易混淆，一起說明更容易區別學習。
首先 晶體管。
我們也稱爲三極管，分爲PNP、和NPN型。在工藝上通常是一個半導體注入5價元素或3價元素來製作PNP或者NPN。
結構如上圖
一般是使用硅管或者鍺管，而且固定壓降是0.7v和0.3v。也就是說當三極管正常工作時時Ube = 0.7v/0.3V
各個級的英文單詞，方便記憶。e：elimt 發射，c：collect收集 b：base。
三極管會有三個狀態：放大、截至、飽和。
放大狀態：當發射結正偏、集電結反偏時，即UB<UC， UB>UE ,發射級的電子成功發射到集電極，這個時候，由ib控制ic，ic=βib（β爲放大係數），所以三極管也叫電流控制電流的器件。這個時候，ic只受ib的控制（因爲集電極電路影響很小，近似認爲只受）
截至狀態：Ib=0，ic=0，或者發射結反偏都時截至狀態，這個時候集電極和發射極都相當於開路。
飽和狀態：發射極和集電極都正偏處於飽和狀態。這個時候ic不在受ib的控制，並且uce所佔電壓很小，相當於導線，工程上我們認爲硅飽和導通uce的壓降爲0.3v，鍺管爲0.1v。
第二主角：場效應管
我們也稱mos管，它是一種電壓控制電流的器件，有三個級，柵級g、漏極d、源極s。
分爲三個形態，我們着重講增強型。
增強型的場效應管，有四個區，分別爲截至區，可變電阻區、恆流區、擊穿區和過損耗區。
可變電阻區特點：當Uds較小時，Id隨Ugs增大而增大。
恆流區：當Ugs一定時，Uds對id的影響很小。
截止區：當電壓小於開啓電壓1.5v時，mos不工作。
擊穿區：當uDS達到一定值時，場效應管被擊穿，ID突然增大。管子很容易燒壞。
過損耗區：id和uds都比較高，長期處於這種狀態，沒有很好的散熱措施，很可能由於功率較大，管子燒壞。
而耗盡型和增強型的區別就在於，當ug=0是，耗盡型ds相當於導通，而增強有開啓電壓。
本人計算機類專業，初學模電，有錯的地方往指教。