Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內部採用非線性宏單元模式，爲固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括手機、數碼相機體等。宏旺半導體也是NAND flash的供應商，旗下的eMMC、UFS都是當下最熱門的存儲解決方案，今天ICMAX宏旺半導體就來和大家分享下NAND flash的發展歷程。
1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且像磁盤一樣可以通過接口輕鬆升級。按照存儲方式劃分，NAND閃存已經發展了四代：
第一代SLC每單元可存儲1比特數據(1bits/cell)，性能好、壽命長，可經受10萬次編程/擦寫循環，但容量低、成本高，如今已經非常罕見；
第二代MLC每單元可存儲2比特數據(2bits/cell)，性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經受1萬次編程/擦寫循環，現在只有在少數高端SSD中可以見到；
第三代TLC每單元可存儲3比特數據(3bits/cell)，性能、壽命變差，只能經受3千次編程/擦寫循環，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是當前最普及的；
第四代QLC每單元可存儲4比特數據(4bits/cell)，性能、壽命進一步變差，只能經受1000次編程/擦寫循環，但是容量更容易提升，成本也繼續降低。
宏旺半導體注：每Cell單元存儲數據越多，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，所以導致顆粒穩定性越差，壽命低，各有利弊。相對於SLC來說，MLC的容量大了100%，壽命縮短爲SLC的1/10，相對於MLC來說，TLC的容量大了50%，壽命縮短爲MLC的1/20。
QLC出現的時間很早，但一直未被人關注過，它真正進入大家的眼睛，應該是從2015年。QLC顆粒跟前幾種顆粒相比最大的優勢是價格便宜，容量大，雖然P/E壽命低，但是大容量很好的彌補了這個弱點。
目前在SLC、MLC、TLC、QLC閃存顆粒中，TLC已經是主角，QLC是未來發展趨勢，TLC又有3D-TLC與2D-TLC兩種，3D-TLC又再細分爲32層3D-TLC、64層3D-TLC和最新的96層3D-TLC。
SLC是企業級服務器用的，MLC已經逐漸退出市場，目前TLC是普通用戶主流存儲顆粒。