半導體存儲器的分類
從製造工藝的角度可把半導體存儲器分爲雙極型、CMOS型、HMOS型等；從應用角度上可將其分爲兩大類： 隨機讀寫存儲器（RAM），又稱隨機存取存儲器；只讀存儲器（ROM）。
1、只讀存儲器（ROM）
只讀存儲器在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入的存儲器，其中又可以分爲以下幾種。
（1）掩膜ROM，利用掩膜工藝製造，一旦做好，不能更改，因此只適合於存儲成熟的固定程序和數據。工廠大量生產時，成本很低。
（2）可編程ROM，簡稱PROM，由廠商生產出的空白存儲器，根據用戶需要，利用特殊方法寫入程序和數據，但是隻能寫一次，寫入後信息固定的，不能更改。
（3）光擦除PROM， 簡稱EPROM，這種存儲器編寫後，如果需要擦出可用紫外線燈製造的擦除器照射20分鐘左右，使存儲器復原用戶可再編程。
（4） 電擦除PROM， 簡稱EEPROM， 顧名思義可以通過電來進行擦除，這種存儲器的特點是能以字節爲單位擦除和改寫，而且不需要把芯片拔下插入編程器編程，在用戶系統即可進行。
（5）Flash Memory， 簡稱閃存。它是非易失性存儲器，在電源關閉後仍能保持片內信息，與EEPROM相比，閃存存儲器具有成本低密度大的優點。
2、隨機讀寫存儲器（RAM）
分爲兩類： 雙極型和MOS型兩種。
（1）雙極型 RAM，其特點是存取速度快，採用晶體管觸發器作爲基本存儲電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於高速緩存存儲器（Cache）.
(2) MOS RAM, 其特點是功耗低，密度大，故大多采用這種存儲器，它又分爲兩種：
靜態RAM（SRAM），動態RAM（DRAM）
SRAM : 存儲原理是用雙穩態觸發器來做存儲電路，狀態穩定，只要不掉電，信息就不會丟失，優點是不用刷新，缺點是集成度低。
DRAM : 存儲原理是用電容器來做存儲電路，優點是電路簡單，集成度高，缺點是由於電容會漏電需要不停的刷新。