MT6739 Android 8.1 I2C口電平轉換低電平無法到0V的解決辦法
項目使用MOS管做I2C的電平轉換，I2C有內部上拉電阻，如下圖：
同樣的電路在其他平臺已經驗證過了，到了MT6739這個平臺發現，當I2C爲master，向salve發送數據時，S1點(藍色)和D1點(黃色)的低電平如下：
可以看到S1點沒有完全到0V，導致MOS管沒有完全導通，所以D1點也沒有降爲0V；
感覺像是GPIO口內部，低電平時候，先經過一個等效電阻R之後，纔到GND，如圖：
爲了驗證上面的猜測，將電平轉換電路的R2電阻，改爲47K，減小MOS管的DS電流之後，S1點(藍色)和D1點(黃色)的低電平如下：
可以看到此時S1和D1的低電平都接近0V，推測原因，可能是因爲，DS的電流減小之後，流過內部等效電阻R的電流減小，R上的壓降也減小，S1點電壓接近0V，MOS管導通，D1點也可以被拉到接近0V；
猜測內部電阻產生的原因是因爲IO口內部有電流限制，當限制的電流比較小的時候，內部等效電阻R的阻值就比較大：
將電平轉換電路的R2電阻，恢復爲4.7K，然後修改IO口的驅動電流到最大值，下面DRV_CFG寄存器：
再測S1點(藍色)和D1點(黃色)的低電平如下：
可以看到此時S1和D1的低電平都接近0V，放大看如下圖：
但最低還是沒有完全到0V，推測原因，可能是因爲，增大IO驅動電流之後，內部等效電阻R的阻值確實減小，但是還有一定的阻值；
所以，確實是因爲電流限制的原因，導致內部形成等效電阻，哪如何能不限制電流？
詢問MTK後，修改如下寄存器：
將EH_CFG寄存器設置爲0，GPIO mode，測試如下：
可以明顯看到，低電平幾乎是0V，並且低電平下降速率也更快了，和其他平臺的表現一致，回頭再修改DRV_CFG寄存器，基本上對波形沒有什麼影響了！
所以，應該是EH_CFG寄存器爲1，I2C mode的時候，IO口對電流的限制比較小，導致內部等效電阻R阻值比較大；當EH_CFG寄存器爲0，GPIO mode的時候，IO口對電流的限制比較寬，或者幾乎沒有限制，內部等效電阻R阻值非常小！