NVM區數據備份機制

上一篇主要說明NVM區操作注意事項，本文針對上篇提到的NVM區數據備份方法進行補充講解。
NVM區主要特性是寫入數據掉電不丟失，可以永久的保存數據，一般用作存放不經常修改的數據，此功能類似FLASH。向NVM區寫入數據可分爲3步：第一步，將目標扇區內原有數據讀出到RAM中；第二步，擦除NVM目標扇區內數據；第三步，將新數據和RAM中的舊數據寫入到該扇區中。基於以上寫操作的特點可以看出，若執行寫NVM區操作的第二步或第三步時芯片斷電了，就會造成NVM區內原有數據丟失，而新數據寫入失敗，表現出NVM區內數據錯亂的現象。雖然這只是小概率事件，但出於穩定性和產品健壯性考慮也要加入數據備份機制。
數據備份有兩套基本方案，分別適用於小數據量和大數據量的應用場景。本期介紹小數據量備份方案，即要求每次更新數據量小於一個扇區大小減1，本例扇區大小256字節，因此更新數據量最大255字節。（注意：不同型號芯片NVM扇區大小會有差異，可以聯繫凌科技術確認）。實現思路是：從NVM區選取兩塊區域，每個區域的最後一字節記錄該區域的操作次數。以該標誌決定更新數據應選用哪個區域。依次循環操作兩個區域，操作區域1的時候，區域2就充當了備份作用，反之同理。
第一次寫入數據
第一步：將NVM區地址0x0000~0x00FF定義爲Block1，將0x0200~0x02FF定義爲Block2。
#define Block1 0x0000
#define Block2 0x0200
第二步：定義一個256字節的數組databuf和一個標誌位變量cnt，並將cnt賦值0。
unsigned char databuf[256]；
Unsigned char cnt = 0；
第三步：將目標數據（待寫入數據）拷貝到databuf數組中，並將cnt+1拷貝到databuf+255的位置。
databuf[255] = cnt+1；
第四步：調用WriteNVM函數向Block1寫入數據databuf，寫入長度256字節。調用WriteNVM函數向Block2+255位置寫入cnt，寫入長度1字節；
WriteNVM（Block1，databuf，256）；
WriteNVM（Block2+255，&cnt，1）；
更新數據
第一步：調用ReadNVM函數分別讀取Block1和Block2的標誌位（最後一字節）。
unsigned char flag1，flag2；
ReadNVM（Block1+255，&flag1，1）；
ReadNVM（Block2+255，&flag2，1）；
第二步：判斷兩個Block的標誌位大小，選取標誌位數值小的Block進行更新。將目標數據（待寫入數據）拷貝到databuf數組中，並將標誌位加2後拷貝到databuf+255的位置。
if(flag1 > flag2)
{
cnt = flag2 + 2；
databuf[255] = cnt；
WriteNVM（Block2，databuf，256）；
}else{
cnt = flag1 +2；
databuf[255] = cnt；
WriteNVM（Block1，databuf，256）；
}
讀取數據
第一步：讀取Block1和Block2的標誌位數據。
ReadNVM（Block1+255，&flag1，1）；
ReadNVM（Block2+255，&flag2，1）；
第二步：判斷標誌位大小，數值大的Block內爲新數據，數值小的Block內爲舊數據。
if（flag1 > flag2）
{
ReadNVM（Block1，databuf，255）；
}else{
ReadNVM（Block2，databuf，255）；
}