1、泰瑞達機臺

Magnum VU本身作爲一個靈活，集合式的測試平臺，可以支持所有NAND以及MCP（MCP (Multiple Chip Package) 存儲器，MCP是在一個塑料封裝外殼內，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，是一種一級單封裝的混合技術，用此方法節約小巧印刷電路板PCB空間。本質就是積木式）類產品的測試。不僅僅可以支持最前沿的符合UFS3.0, uMCP和PCIe Gen4協議的移動/車載產品，同時也支持遵循ONFI和Toggle協議的SSD NAND。當然，傳統NAND相關的產品，包括 UFS 2.1， PCIe Gen3，e.MMC和eMCP也同樣在支持列表當中。Magnum VU最大配置可以支持768顆被測產品同時測試，且支持每顆被測產品均工作在雙鏈路16Gbps的條件下。使得平臺能在配置不變的前提下，擁有更好的信號收/發性能，同時能支持所有的測試協議。

2、存儲器術語

2.1 機械和固態

機械硬盤是磁頭讀取轉動的磁碟，順序讀寫；

固態硬盤是主控讀寫nandflash，按位讀寫。

ROM的發展歷程：

2.2 nand

nand flash的表現形式爲人熟知的就是U盤和SSD。

NVMe：NVM Express（NVMe），或稱非易失性內存主機控制器接口規範(Non-Volatile Memory express),是一個邏輯設備接口規範。他是與AHCI類似的、基於設備邏輯接口的總線傳輸協議規範（相當於通訊協議中的應用層），用於訪問通過PCI-Express（PCIe）總線附加的非易失性內存介質，雖然理論上不一定要求 PCIe 總線協議。

SSD（固態硬盤）最爲主流的傳輸協議有兩種。一種是AHCI協議，另一種是NVMe協議。一般來說，基於NVMe協議的SSD在讀寫性能上都遠遠超過了SATA接口極限的6Gbps。比如三星 960PRO NVME SSD就是採用NVMe協議，有着非常高的速度性能。

目前支持NVMe協議的SSD在接口類型上，也幾乎都是M.2接口，走PCIe通道的，也就是說所有基於SATA接口的SSD都無法支持NVMe協議傳輸協議，無法享受全新協議帶來的極限性能。

PATA：Parallel Advanced Technology Attachment

IDE：Integrated Drive Electronics

AHCI：Serial ATA Advanced Host Controller Interface

SATA：Serial Advanced Technology Attachment即爲Serial ATA

SCSI：Small Computer System Interface

SAS：Serial Attached SCSI

SSD：Solid State Disk或Solid State Drive

FC：光纖通道的英文拼寫是Fibre Channel，和SCIS接口一樣光纖通道最初也不是爲硬盤設計開發的接口技術，是專門爲網絡系統設計的，但隨着存儲系統對速度的需求，才逐漸應用到硬盤系統中。光纖通道硬盤是爲提高多硬盤存儲系統的速度和靈活性纔開發的，它的出現大大提高了多硬盤系統的通信速度。它以點對點(或是交換)的配置方式在系統之間採用了光纜連接。即, 硬盤本身是不具備FC接口的, 插硬盤的機櫃上帶有FC接口, 通過光纖與光纖交換機互聯.

傳輸總線（物理層協議，大部分還包括了鏈路層和傳輸層協議）：PCIE SATA (P)ATA SCSI SAS ，民用領域從ATA到SATA，服務器領域從SCSI到SAS。SAS可以兼容SATA。傳輸總線相當於道路類型，如普通公路、高速公路、火車軌道、高鐵軌道、航空線路，直接決定了物理上的傳輸上限，不同總線物理接口不同。

應用層協議：交通工具。IDE AHCI SATA NVMe 。一般來說交通工具是和道路類型綁定的，如火車就只能走軌道，而不能走公路，但是一種道路類型可以走不同的交通工具，如公路既可以走貨車，也可以走小汽車，小汽車比貨車跑的快，同理，ATA總線可以跑IDE協議，也可以跑ACHI協議，AHCI協議比IDE協議快。

PC端：IDE和AHCI跑在PATA上，SATA跑在SATA上。服務器端：SCSI和SAS跑在SCSI上。都是機械式硬盤。

SSD：PC端和服務器端都可以使用，傳輸總線是PCIE，應用層協議是NVMe。

SSD通信協議

2.3 mobile nand

mobile nand在移動端使用的nand flash。典型的有emmc，ufs。

eMCP是結合eMMC和MCP封裝而成的智慧型手機記憶體標準，與傳統的MCP相較之下，eMCP因爲有內建的NAND Flash控制晶片，可以減少主晶片運算的負擔，並且管理更大容量的快閃記憶體。以外型設計來看，不論是eMCP或是eMMC內嵌式記憶體設計概念，都是爲了讓智慧型手機的外型厚度更薄，機殼密閉度更完整。

uMCP即基於UFS的多芯片包（uMCP）利用了超快通用閃存（UFS）2.1控制器，爲細長設計提供了大的性能和功率節省。結合了LPDRAM、NAND和車載控制器的微米uMCP，比雙芯片移動解決方案（PoP+離散NAND）使用少40%的空間，減少了內存佔用，並支持更靈活的系統設計。我們的MCP使用先進的封裝技術，將移動DRAM堆疊在管理的NAND之上，這允許適合較小的智能手機設計的高密度、低功耗存儲解決方案。

ufs2.1性能是emmc5.1的三倍差不多，就是說ufs很強，但這不是說emmc弱，目前仍有筆記本使用emmc的存儲。

emmc5.0速度320MB/s
emmc5.1速度500MB/s
ufs2.0 hs-g2 速度 720MB/s,理論上達到5.8Gbps，
ufs2.1 hs-g3 速度 1.45GB/s，理論上達到11.6Gbps，
ufs3.0 速度2.9GB/s，理論上達到23.3Gbps

2.4 nand和mnand區別

從物理存儲介質上來說，nand和mnand是一樣的，都是nand flash，按位讀寫，用到PC和手機上就變成了SSD和ROM，根據使用場景不同，SSD比ROM容量大。最重要的區別就是對存儲單元的管理上，即存儲控制器和通信協議。

手機上再從eMMC到UFS的轉型，eMMC和UFS是協議棧，定義了控制器從底層物理接口到應用層的全部內容。

PC上就是 PCIE+NVMe。

手機上的nand顆粒還有SLC、MLC和TLC之分。

2.5 UFS vs NVMe

UFS和NVMe都可以看作是應用層的協議，從iPhone 6s開始，蘋果在手機閃存上引入了NVMe協議（NVMe本來是用在SSD上的）。UFS常見於Android陣營的高端旗艦機型中，有UFS 2.0 HS-G3和UFS 3.0 HS-G3兩種。

速度比較：

UFS採用兩條lane，2.1的最大帶寬爲11.6Gbps，約爲1200MB/s；NVMe鏈路層採用PCIe，目前PCIe是3.0，一般採用4條lane，帶寬4000MB/s，就算2個lane，也是2000MB/s，>1200MB/s。UFS3.0可以達到2400MB/s，PCIe 4.0 4 lane，8000MB/s。

命令集比較：

UFS採用UCS命令集，它是SCSI命令的一個子集。NVMe採用爲NAND flash量身定製的精簡ATA命令集，大大減少命令的複雜度，恐怖的命令隊列數目和深度又保證了4K小文件的迅速讀寫。兩者相比UFS命令集和理論處理能力上又大大落於下風。

爲了控制成本，Android不用NVMe。emmmmm。

參考鏈接：http://www.teradyne.cn/products/test-solutions/semiconductor-test/magnum-vu

https://blog.csdn.net/carlsun80/article/details/78658581

https://www.jdbbs.com/thread-8531406-1-1.html

http://www.ssdfans.com/blog/2018/05/17/onfi與toggle協議之爭/（三星東芝一夥過）

http://www.starjade.cn/jishu/jiejue/gutai/2018-03-30/111.html

https://www.cnblogs.com/Christal-R/p/7267857.html

https://www.cnblogs.com/awpatp/archive/2013/01/29/2881431.html

http://www.elecfans.com/d/874199.html

http://mini.eastday.com/bdmip/171224224412350.html#