本文來自：我愛研發網(52RD.com) - R&D大本營
詳細出處：http://www.52rd.com/Blog/Detail_RD.Blog_hndeng06_11206.html
在嵌入式行業中，經常會碰到有人問如果將開發板上32M的SDRAM換成64M的SDRAM硬件需不需要改動。答案是：不需什麼改動。由於當時剛進入這個行業，對這個答案一直很迷惑，
板上用的是現代的sdram芯片4M×16b×4Bank，即32MB，按理說應該有25根地址線，但芯片上只提供了13根地址線，2根bank選擇線（BA0，BA1），兩個片選信號，這怎麼尋址啊？
今天碰巧又碰到這個問題，俗話說事不過三，心一橫，今天非把這個問題搞明白不可。功夫不負有心人，終於參考網上的一些SDRAM的資料把問題砌底搞明白了，現分享如下：
SDRAM的究竟是怎麼尋址的？
SDRAM的內部是一個存儲陣列，將數據“填”進去，你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是內存芯片尋址的基本原理。對於內存，這個單元格可稱爲存儲單元,那麼這個表格（存儲陣列）叫什麼呢？它就是邏輯Bank（Logical Bank，下文簡稱L-Bank）。
SDRAM內部L-Bank示意圖，這是一個8X8的陣列，B代表L-Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。如果尋址命令是B1、R2、C6，就能確定地址是圖中紅格的位置
目前的內存芯片基本上都是4個L-Bank設計，也就是說一共有4個這樣的“表格”。尋址的流程也就是——先指定L-Bank地址，再指定行地址，然後指列地址最終的確尋址單元。
在實際工作中，L-Bank地址與相應的行地址是同時發出的，此時這個命令稱之爲“行有效”或“行激活”（Row Active）。在此之後，將發送列地址尋址命令與具體的操作命令（是讀還是寫），這兩個命令也是同時發出的，所以一般都會以“讀/寫命令”來表示列尋址。根據相關的標準，從行有效到讀/寫命令發出之間的間隔被定義爲tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲，RAS就是行地址選通脈衝，CAS就是列地址選通脈衝），大家也可以理解爲行選通週期。tRCD是SDRAM的一個重要時序參數，可以通過主板BIOS經過北橋芯片進行調整。廣義的tRCD以時鐘週期（tCK，Clock Time）數爲單位，比如tRCD=2，就代表延遲週期爲兩個時鐘週期，具體到確切的時間，則要根據時鐘頻率而定，對於PC100 SDRAM（時鐘頻率等同於DDR-200），tRCD=2，代表20ns的延遲，對於PC133（時鐘頻率等於DDR-266）則爲15ns。
圖中顯示的是tRCD=3
接下來，相關的列地址被選中之後，將會觸發數據傳輸，但從存儲單元中輸出到真正出現在內存芯片的 I/O 接口之間還需要一定的時間（數據觸發本身就有延遲，而且還需要進行信號放大），這段時間就是非常著名的 CL（CAS Latency，列地址脈衝選通潛伏期）。CL 的數值與 tRCD 一樣，以時鐘週期數表示。如 DDR-400，時鐘頻率爲 200MHz，時鐘週期爲 5ns，那麼 CL=2 就意味着 10ns 的潛伏期。不過 ，CL 只是針對讀取操作，對於 SDRAM，寫入是沒有潛伏期的，對於 DDR SDRAM，寫入潛伏期在 0.75 至 1.25 個時針週期之間。
圖中標準CL=2，tAC是有關內部信號處理的週期，可以不用關心
目前內存的讀寫基本都是連續的，因爲與CPU交換的數據量以一個Cache Line（即CPU內Cache的存儲單位）的容量爲準，一般爲64字節。而現有的P-Bank位寬爲8字節，那麼就要一次連續傳輸8次，這就涉及到我們也經常能遇到的突發傳輸的概念。突發（Burst）是指在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式，連續傳輸的週期數就是突發長度（Burst Lengths，簡稱BL）。
在進行突發傳輸時，只要指定起始列地址與突發長度，內存就會依次地自動對後面相應數量的存儲單元進行讀/寫操作而不再需要控制器連續地提供列地址（SDRAM與DDR SDRAM的突發傳輸對列尋址的操作數量有所不同，在此不再細說）。這樣，除了第一筆數據的傳輸需要若干個週期（主要是之前的延遲，一般的是tRCD+CL）外，其後每個數據只需一個週期的即可獲得。
突發連續讀取模式：只要指定起始列地址與突發長度，後續的尋址與數據的讀取自動進行，而只要控制好兩段突發讀取命令的間隔週期（與BL相同）即可做到連續的突發傳輸。
在數據讀取完之後，爲了騰出讀出放大器以供同一L-Bank內其他行的尋址並傳輸數據，內存芯片將進行預充電的操作來關閉當前工作行。還是以上面那個L-Bank示意圖爲例。當前尋址的存儲單元是B1、R2、C6。如果接下來的尋址命令是B1、R2、C4，則不用預充電，因爲讀出放大器正在爲這一行服務。但如果地址命令是B1、R4、C4，由於是同一L-Bank的不同行，那麼就必須要先把R2關閉，才能對R4尋址。從開始關閉現有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP（Row Precharge command Period，行預充電有效週期），單位也是時鐘週期數。
本圖爲一個完整的從行尋址到行關閉的時序圖，圖中所表示的tRCD=2、CL=2、tRP=2
實例分析：
有了以上知識後，就很容易理解了，現就以HY57V561620片子說明吧。
從芯片的數據手冊中可以得知：4M×16b×4Bank，即共32MB，提供了13根地址線(行地址線RA0-RA12，列地址線CA0-CA8行列地址線共用)，2根bank選擇線（BA0，BA1）。
2根bank選擇線（BA0，BA1）即可以選4個Bank，即我們可以分析其中一個Bank就可。
一個Bank是4Mx16bit,需23根地址線。按照上面尋址方式即：1個Bank的空間＝行地址能訪問的空間 X列地址能訪問的空間。
1個Bank的大小＝213 x 29= 222。
只有22根，怎麼還差一根。J (呵呵)
這是因爲芯片是以半字爲一個存儲單元的。也就是一次兩個字，所以222 x 2=223.即可訪遍整個Bank.
以上是我個人的理解，有什麼不對的地方還請指教！！呵呵QQ:59931418。
