SRAM與SDRAM的比較

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內存在電腦中起着舉足輕重的作用，一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。

按內存條的接口形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條（SIMM），和雙列直插內存條（DIMM）。SIMM內存條分爲30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按內存的工作方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每個三個時鐘脈衝週期傳送一次數據。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲週期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈衝週期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。

SDRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM爲168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘週期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM）存儲器總線式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，芯片到芯片接口設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內通過一個簡單的總線傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸數據。

 

RAM

 

Random-Access Memory(隨機存取存儲器)，在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，纔有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分爲主存儲器和輔助存儲器[或者內存儲器和外存儲器]，主存儲器簡稱內存，內存在電腦中起着舉足輕重的作用，一般採用半導體存儲單元。
因爲RAM是內存其中最重要的存儲器，所以通常我們直接稱之爲內存。
內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內存中，當你選擇存盤時，內存中的數據纔會被存入硬（磁）盤。
RAM就是既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊佔用的空間。目前市場上常見的內存條有 128M／條、256M／條、512M／條等。

RAM可分爲：SRAM和SDRAM

 

SDRAM

 

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它爲基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。目前的168線64bit帶寬內存基本上都採用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存最快爲15ns。並將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間,所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。

SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第一代與第二代SDRAM均採用單端（Single-Ended）時鐘信號,第三代與第四代由於工作頻率比較快，所以採用可降低干擾的差分時鐘信號作爲同步時鐘。
SDR SDRAM的時鐘頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號爲100或133MHz，數據讀寫速率也爲100或133MHz。
之後的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內存則採用數據讀寫速率作爲命名標準，並且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬爲2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。
很多人將SDRAM錯誤的理解爲第一代也就是 SDR SDRAM，並且作爲名詞解釋，皆屬誤導,SDR不等於SDRAM。

Pin:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。
SIMM：Sigle In-line Memory Module,單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Module，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。
RDIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內存模塊
SO-DIMM:筆記本常用的內存模組。
工作電壓：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V

 

SRAM

 

SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計爲較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？

一種是置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一是固定在主板上的高速緩存（Cache  Memory ）；二是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。

 

還有一種是爲了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子裏。

SRAM顯然速度快，不需要刷新的動作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作爲用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：

◎優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
◎SRAM使用的系統：
○CPU與主存之間的高速緩存
○CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存
○CPU外部擴充用的COAST高速緩存
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）

 

SRAM與SDRAM的比較：

SRAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用SDRAM，而高速緩衝存儲器（Cache）則使用SRAM，在存取速度上，SRAM>SDRAM。另外，內存還應用於顯卡、聲卡及CMOS等設備中，用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。