晶振電容設計考慮事項：
a. 使晶振、外部電容器（如果有）與 IC之間的信號線儘可能保持最短。當非常低的電流通過IC晶振振盪器時，如果線路太長，會使它對 EMC、ESD 與串擾產生非常敏感的影響。而且長線路還會給振盪器增加寄生電容。
b. 儘可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路佈置在遠離晶振連接的位置。
c. 當心晶振和地的走線
d. 將晶振外殼接地
電容選擇：
a. 選擇電容，首先要知道電容的類型和參數有哪些，然後知道應用場合對電容參數的要求，之後就可以選擇電容了。
b. 如常用電容類型有鋁電解、鉭電容、MLCC、安規電容和金屬化膜電容等，
c. 電容參數有容值、精度、耐壓、溫度係數、電壓係數、漏電流、ESR、ESL、DF、紋波電流、工作溫度範圍、壽命、諧振特性和有無極性等等
不同電容類型的參數值差別較大，如鋁電解的容量可以做到很大，但其ESR也較大，一般爲幾歐姆，諧振頻率較低，一般爲幾十到幾百kHz，故不適合用在高頻濾波中。
IC的電源引腳要加一大一小的電容濾除低頻和高頻噪聲---大電容的目的更多是去耦左右，即在電源尚不能提供電流時，提供瞬時的電流，主要考慮容量、耐壓、精度和溫度係數基本就夠了；小電容是濾除高頻干擾的，想像RC低通濾波吧，除了容量、耐壓、精度和溫度係數外，還有考慮電容的自諧振特性
通常電路中用到電源的會很多，建議在靠近使用電源的附近要加去耦和濾波電容，電源芯片用的去耦電容的大小一般應是使用這路電源的所有去耦電容大小的十倍。另外干擾源一般是晶振或高頻的數字電路、開關電源，總之會有電壓或電流的突變的地方就是干擾產生的地方，這些就是EMI產生的根源。對付干擾不外兩個方法一是導主要用電容，一是堵主要用電感，電容電感是最常用的EMC整改的元器件。針對晶振的部分除了接地之外，還有一個建議，可以在晶振與IC引腳接一個小電阻，另外LAYOUT也要注意晶振下面不可走線，其它層也需要挖空。另外單純從EMC的角度考量內部晶振比外部晶振好，頻率低比頻率高好，有源晶振比無源晶振好。
因爲大電容由於容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式製作（動手拆過鋁電解電容應該會很有體會，沒拆過的也可以拿幾種不同的電容拆來看看，不過要注意安全，別弄傷手），這就導致了大電容的分佈電感比較大（也叫等效串聯電感，英文簡稱ESL）。大家知道，電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由於容量小，因此體積可以做得很小（縮短了引線，就減小了ESL，因爲一段導線也可以看成是一個電感的），而且常使用平板電容的結構，這樣小容量電容就有很小的ESL，這樣它就具有了很好的高頻性能，但由於容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大。所以，如果我們爲了讓低頻、高頻信號都可以很好的通過，就採用一個大電容再並上一個小電容的方式。常使用的小電容爲0.1uF的瓷片電容，當頻率更高時，還可並聯更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上並聯一個0.1uF的電容到地（這電容叫做去耦電容，當然也可以理解爲電源濾波電容。它越靠近芯片的位置越好），因爲在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容濾波就可以了。
安規電容是指電容器失效後，不會導致電擊，不危及人身安全，包括X電容和Y電容。
X電容是跨接在電力線兩線（L-N）之間的電容，一般選用金屬薄膜電容，微法級，抑制差模干擾。
Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E,N-E）的電容，一般成對出現。基於漏電流的限制，Y電容值不能太大，一般選用納法級，抑制共模干擾。超級電容器是介於電容器和電池之間的儲能器件，它既具有電容器可以快速充放電的特點，又具有電化學電池的儲能機理。
傳統的充電電池由於通過電解液與電極之間發生的化學反應來產生電力，因此充電時需要花費一定的時間。經過多次充電和放電後，電解液逐漸分解。材料變質，性能也隨之下降，用上幾年後大都需要更換。
與此相比，電容器不產生化學反應，可以直接將電力貯存起來。不僅充電所需的時間非常短，還能在瞬間釋放出大量電流，輸出功率很大。由於充電和放電可反覆進行數十萬次以上，所以基本上無需更換，可以半永久性地使用。
超級電容有法拉級容量。無須特別的充電電路和控制放電電路；
