Nandflash和No人flash最大區別：
（1）容量的大小：Norflash容量小，約有64K~2M，Nandflash，約128M~256G。
（2）因此Norflash一個地址對應一個空間，可直接訪問，Nandflash無法直接訪問
（3）Nandflash容易有壞塊，需要通過軟件格式化
（4）價格上Norflash>Nandflash
Intel總結：
擦除和編程的區別：
Flash編程原理都是隻能將1寫爲0，而不能將0寫成1.所以在Flash編程之前，必須將對應的塊擦除，而擦除的過程就是將所有位都寫爲1的過程，塊內的所有字節變爲0xFF.因此可以說，編程是將相應位寫0的過程，而擦除是將相應位寫1的過程，兩者的執行過程完全相反
（1）閃存芯片讀寫的基本單位不同
應用程序對NorFlash芯片操作以“字”爲基本單位.爲了方便對大容量NorFlash閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小爲128KB或64KB的邏輯塊，有時塊內還分扇區.讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移.應用程序對NandFlash芯片操作是以“塊”爲基本單位.NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁大小一般是512字節.要修改NandFlash芯片中一個字節，必須重寫整個數據塊.
（2）NorFlash閃存的可靠性要高於NandFlash閃存，是因爲NorFlash型閃存的接口簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，一般用在對可靠性要求高的地方.NandFlash型閃存接口和操作均相對複雜，位交換操作也很多，關鍵性數據更是需安錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法來確保數據的完整性，因此出現問題的機率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由於壞區塊是隨機分佈的，連糾錯也無法做到.
（3）NANDFlash一般地址線和數據線共用，對讀寫速度有一定影響；NORFlash閃存數據線和地址線分開，相對而言讀寫速度快一些.NANDFlash和NORFlash芯片的共性
首先表現在向芯片中寫數據必須先將芯片中對應的內容清空，然後再寫入，即先擦後寫.只不過NORFlash芯片只用擦寫一個字，而NAND需要擦寫整個塊.其次，閃存擦寫的次數都是有限的.當閃存使用接近使用壽命時，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命時，閃存內部存放的數據雖然可以讀，但不能再進行寫操作了.所以爲了防止上面問題的發生，不能對某個特定的區域反覆進行寫操作.通常NANDFlash可擦寫次數高於NORFlash芯片，但是由於NANDFlash通常是整塊擦寫，塊內的頁面中如果有一位失效整個塊就會失效，而且由於擦寫過程複雜，失敗的概率相對較高，所以從整體上來說NOR的壽命較長.
另一個共性是閃存的讀寫操作不僅僅是一個物理操作，實際上在閃存上存放數據必須使用算法實現，這個模塊一般在驅動程序的MTD'(Memory Technology Drivers)模塊中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)層內實現，具體算法和芯片的生產廠商以及芯片型號有關係.通過比較可以發現，NAND更適用於複雜的文件應用，但是由於NAND芯片的使用相對複雜，所以對文件系統有較高的要求.
（4）讀寫性能對比
寫操作：任何flash器件的寫入操作都只能在空或已擦除的單元內進行.NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫爲1.擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個擦除/寫入操作的時間約爲5s.擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行一個擦除/寫入操作最多只需要4ms. 讀操作：NOR的讀速度比NAND稍快一些.
（5）NorFlash閃存是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NandFlash閃存是連續存儲介質，適合存放大的數據.
（1）容量的大小：Norflash容量小，約有64K~2M，Nandflash，約128M~256G。
（2）因此Norflash一個地址對應一個空間，可直接訪問，Nandflash無法直接訪問
（3）Nandflash容易有壞塊，需要通過軟件格式化
（4）價格上Norflash>Nandflash
Intel總結：
擦除和編程的區別：
Flash編程原理都是隻能將1寫爲0，而不能將0寫成1.所以在Flash編程之前，必須將對應的塊擦除，而擦除的過程就是將所有位都寫爲1的過程，塊內的所有字節變爲0xFF.因此可以說，編程是將相應位寫0的過程，而擦除是將相應位寫1的過程，兩者的執行過程完全相反
（1）閃存芯片讀寫的基本單位不同
應用程序對NorFlash芯片操作以“字”爲基本單位.爲了方便對大容量NorFlash閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小爲128KB或64KB的邏輯塊，有時塊內還分扇區.讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移.應用程序對NandFlash芯片操作是以“塊”爲基本單位.NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁大小一般是512字節.要修改NandFlash芯片中一個字節，必須重寫整個數據塊.
（2）NorFlash閃存的可靠性要高於NandFlash閃存，是因爲NorFlash型閃存的接口簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，一般用在對可靠性要求高的地方.NandFlash型閃存接口和操作均相對複雜，位交換操作也很多，關鍵性數據更是需安錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法來確保數據的完整性，因此出現問題的機率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由於壞區塊是隨機分佈的，連糾錯也無法做到.
（3）NANDFlash一般地址線和數據線共用，對讀寫速度有一定影響；NORFlash閃存數據線和地址線分開，相對而言讀寫速度快一些.NANDFlash和NORFlash芯片的共性
首先表現在向芯片中寫數據必須先將芯片中對應的內容清空，然後再寫入，即先擦後寫.只不過NORFlash芯片只用擦寫一個字，而NAND需要擦寫整個塊.其次，閃存擦寫的次數都是有限的.當閃存使用接近使用壽命時，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命時，閃存內部存放的數據雖然可以讀，但不能再進行寫操作了.所以爲了防止上面問題的發生，不能對某個特定的區域反覆進行寫操作.通常NANDFlash可擦寫次數高於NORFlash芯片，但是由於NANDFlash通常是整塊擦寫，塊內的頁面中如果有一位失效整個塊就會失效，而且由於擦寫過程複雜，失敗的概率相對較高，所以從整體上來說NOR的壽命較長.
另一個共性是閃存的讀寫操作不僅僅是一個物理操作，實際上在閃存上存放數據必須使用算法實現，這個模塊一般在驅動程序的MTD'(Memory Technology Drivers)模塊中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)層內實現，具體算法和芯片的生產廠商以及芯片型號有關係.通過比較可以發現，NAND更適用於複雜的文件應用，但是由於NAND芯片的使用相對複雜，所以對文件系統有較高的要求.
（4）讀寫性能對比
寫操作：任何flash器件的寫入操作都只能在空或已擦除的單元內進行.NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫爲1.擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個擦除/寫入操作的時間約爲5s.擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行一個擦除/寫入操作最多只需要4ms. 讀操作：NOR的讀速度比NAND稍快一些.
（5）NorFlash閃存是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NandFlash閃存是連續存儲介質，適合存放大的數據.
