Nandflash和No人flash最大区别：
（1）容量的大小：Norflash容量小，约有64K~2M，Nandflash，约128M~256G。
（2）因此Norflash一个地址对应一个空间，可直接访问，Nandflash无法直接访问
（3）Nandflash容易有坏块，需要通过软件格式化
（4）价格上Norflash>Nandflash
Intel总结：
擦除和编程的区别：
Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF.因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反
（1）闪存芯片读写的基本单位不同
应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块.
（2）NorFlash闪存的可靠性要高于NandFlash闪存，是因为NorFlash型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，一般用在对可靠性要求高的地方.NandFlash型闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的机率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到.
（3）NANDFlash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；NORFlash闪存数据线和地址线分开，相对而言读写速度快一些.NANDFlash和NORFlash芯片的共性
首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，即先擦后写.只不过NORFlash芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块.其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存使用接近使用寿命时，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但不能再进行写操作了.所以为了防止上面问题的发生，不能对某个特定的区域反复进行写操作.通常NANDFlash可擦写次数高于NORFlash芯片，但是由于NANDFlash通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长.
另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD'(Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系.通过比较可以发现，NAND更适用于复杂的文件应用，但是由于NAND芯片的使用相对复杂，所以对文件系统有较高的要求.
（4）读写性能对比
写操作：任何flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行.NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1.擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个擦除/写入操作的时间约为5s.擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms. 读操作：NOR的读速度比NAND稍快一些.
（5）NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据.
（1）容量的大小：Norflash容量小，约有64K~2M，Nandflash，约128M~256G。
（2）因此Norflash一个地址对应一个空间，可直接访问，Nandflash无法直接访问
（3）Nandflash容易有坏块，需要通过软件格式化
（4）价格上Norflash>Nandflash
Intel总结：
擦除和编程的区别：
Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF.因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反
（1）闪存芯片读写的基本单位不同
应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块.
（2）NorFlash闪存的可靠性要高于NandFlash闪存，是因为NorFlash型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，一般用在对可靠性要求高的地方.NandFlash型闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的机率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到.
（3）NANDFlash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；NORFlash闪存数据线和地址线分开，相对而言读写速度快一些.NANDFlash和NORFlash芯片的共性
首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，即先擦后写.只不过NORFlash芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块.其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存使用接近使用寿命时，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但不能再进行写操作了.所以为了防止上面问题的发生，不能对某个特定的区域反复进行写操作.通常NANDFlash可擦写次数高于NORFlash芯片，但是由于NANDFlash通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长.
另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD'(Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系.通过比较可以发现，NAND更适用于复杂的文件应用，但是由于NAND芯片的使用相对复杂，所以对文件系统有较高的要求.
（4）读写性能对比
写操作：任何flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行.NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1.擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个擦除/写入操作的时间约为5s.擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms. 读操作：NOR的读速度比NAND稍快一些.
（5）NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据.
