三極管有2種：NPN和PNP
發射區 基區 集電區
---------------------------------------------------
| | | |
-e發射極----- | N | P | N |----c集電極---
| | | |
----------------|---------|-----------|--------------
| | |
發射結 b基極 集電結
N是Negative的縮寫 P是Positive的縮寫
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾着一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱爲發射結,而集電區與基區形成的PN結稱爲集電結,三條引線分別稱爲發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。如右圖所示
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
在製造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱爲發射極電流子。
由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：
Ie=Ib+Ic
這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關係，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--稱爲直流放大倍數
