實現flash延長寫壽命算法

    flash的擦寫次數是有限的，NAND flash中每個塊的最大擦寫次數爲100萬次，而NOR是10W次，flash單個存儲單元bit只能從1變爲0，而不能從0變成1。想要變成1，只能block擦 除，這裏的block表示一個擦除單位，擦除過程就是把block所有的位都寫1.這種硬件特性決定需要一種比較高效的寫flash算法。總不能一次更改數值時擦除整一大片flash。
總體思想：寫滿一個block，然後把該block上有效的數據搬移到另一個block上，再擦除原block。這樣flash有效利用率大大提高。
具體算法：每次寫入flash的數據都附帶一個結構體，該結構體主要描訴該數據是否可讀or已丟棄的，記錄該數據長度，數據唯一標示ID，當要修改某數據，就根據ID值，把原本的數據標示丟棄，然後重新寫入一個原ID的數據。當一個block使用完時，查詢原block上有限數據，並遷移到新的block上，再擦除舊block。
實現的結果就是根據ID增刪查改數據，也就是Key-Value類型的flash管理。

flash讀取壽命比較長，相對於寫操作損害壽命，可以認爲讀取不影響該flash壽命。nor flash是沒有壞塊的，如果有壞塊，則說明該nor flash已經沒用了。
本人以實現該tiny file system，需要學習的童靴們，可以跟我拿哦～～～