flash的擦写次数是有限的,NAND flash中每个块的最大擦写次数为100万次,而NOR是10W次,flash单个存储单元bit只能从1变为0,而不能从0变成1。想要变成1,只能block擦 除,这里的block表示一个擦除单位,擦除过程就是把block所有的位都写1.这种硬件特性决定需要一种比较高效的写flash算法。总不能一次更改数值时擦除整一大片flash。
总体思想:写满一个block,然后把该block上有效的数据搬移到另一个block上,再擦除原block。这样flash有效利用率大大提高。
具体算法:每次写入flash的数据都附带一个结构体,该结构体主要描诉该数据是否可读or已丢弃的,记录该数据长度,数据唯一标示ID,当要修改某数据,就根据ID值,把原本的数据标示丢弃,然后重新写入一个原ID的数据。当一个block使用完时,查询原block上有限数据,并迁移到新的block上,再擦除旧block。
实现的结果就是根据ID增删查改数据,也就是Key-Value类型的flash管理。
flash读取寿命比较长,相对于写操作损害寿命,可以认为读取不影响该flash寿命。nor flash是没有坏块的,如果有坏块,则说明该nor flash已经没用了。
本人以实现该tiny file system,需要学习的童靴们,可以跟我拿哦~~~
实现flash延长写寿命算法
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