在寫這篇文章之前 參閱了很多大佬的博客，發現自己距離大佬的差距是那麼的遙遠。不過我還是要寫這篇，這是我自己的感悟以及理解。
以下幾個鏈接是我參考比較多的 寫的非常棒的。
高手進階，終極內存技術指南。 https://blog.csdn.net/qq_16748819/article/details/83037781
https://blog.csdn.net/weixin_42547860/article/details/88998037
SDRAM 同步動態隨機存儲器，原理是電容充電的原理，相較於SRAM 價格便宜，但是速度比較慢。電腦中常用的4G 8G 16G 的內存都是這個的加強版本 本質其實都是動態內存。 動態內存 的動態主要體現在爲了維持數據 需要不斷的去進行數據的刷新。
SRAM(Static Random-Access Memory，SRAM) 和SDRAM 相比較沒有 dynamic 這個特性，不需要去對電容進行充電讀寫更快，一般用來做CPU內部的cache 。SRAM的實現是利用數字邏輯電路去實現的，集成度達不到DRAM那麼高，所以價格相對較貴。
這是一個 SDRAM 的datesheet, JZ2440 選用的是-6G版本 從特性來看 我們可以知道 這個芯片的容量是32MB (256Mbit)，內部分成了四個bank 芯片的極限速度是166MHz 旁邊還有些具體的 時間參數，暫時先不分析。
存儲容量的計算 4M word * 4bank = 16M word = 32M byte ,這裏比較繞， 因爲是16位的位寬所以一個地址上面就是一個16bit的 1 word 換算成byte 就是2byte
芯片支持brust 讀取 1/2/4/8 、whole page 可以一次性連續讀取1個(16bit) 2個（16bit *2 ）、、、
後面開啓了 mmu 之後 mmu 應該會有整頁搬到內部cache裏面的動作。 這樣可以提高效率。
根據上面表格的地址線的數量我們可以知道 這個芯片的 內部 col = 2^9 = 512 個 row = 2^13
col * row *bank = 2^9 * 2^13 * 2^2 = 2^24 = 16M(word) = 32M byte = 256M bit
因爲我們使用的 S3C2440 帶有SDRAM的 控制單元，所以具體的 硬件時序 我們就不去分析了， 我們只去關心幾個關鍵的參數。
在S3C2440 的技術手冊的第五章是關於內存控制的介紹
在概述部分介紹了 S3C2440 的內存控制單元的特性。
每個內存單元可尋址範圍是128Mbyte 除了bank0 之外的內存接口芯片都可以編程控制使用8/16/32位帶寬的芯片（bank0 是因爲是啓動地址，而且bank0 的位寬選擇是由硬件決定的，通過選擇啓動方式自動選擇對應的位寬）。
這裏面還特別提到了SDRAM的 專門的bank 也就是我們即將使用的bank6 bank7
接下來就是配置這兩個bank 的分析 第一步就是配置 bank 的位寬
根據開發板的原理圖 我們可以看出來 開發板上的設計是把倆個芯片並在一起當成 32bit 位寬的一個芯片使用
表格中的bit 27 是byte_enable 用來屏蔽指定的byte,因爲S3C2440內部有內存控制器可以去實現 byte 的分離 所以就不需要在設置了。
接下來就是 BANKCON6 寄存器
這一部分的設置是 BANK的 控制寄存器，對速度暫時不去追求，所以就用默認的速度就可以了（最慢的速度）
col的值去9bit 這個是前面提到的 地址線推算出來的
這個寄存器是 SDRAM 的自動刷新控制寄存器 Trp 時間根據芯片手冊我們可以查到
我們取最小值 2個clock = 20ns = (Trp =2clock)
Tsrc 我們可以根據公式
| Trc=Tsrc+Trp |
反推出來 。已知 Trp = 2clk
trc = 6 clk 所以算出來 tsrc = 4clk
bit [19:18] = 00
最後得到這個 counter 值的計算是 根據 SDRAM 的刷新時間和 HCLK 的頻率計算的
刷新時間的信息在SDRAM的技術手冊上面， period = 64ms/8192 = 
剛好就滿足手冊上面的那個公式 
所以我們可以計算出來
| REFRESH = 0x8404f5 |
接下來的寄存器是 banksize
這部分主要是內存的大小的設置
芯片手冊上面提示的 CL可以是2 或者是3. 剛剛的寄存器其實是給 SOC內部設置的數據，SOC會將數據轉存到 SDRAM的寄存器中。
最後我們的初始化程序的參數就是這樣算出來了。 BWSCON 應該是等於 0x02000000 但是0x22000000 也是對的。