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RAM（Random AccessMemory）的全名爲隨機存取記憶體，它相當於PC機上的移動存儲，用來存儲和保存數據的。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作爲操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質（可稱作系統內存）。
不過，當電源關閉時RAM不能保留數據，如果需要保存數據，就必須把它們寫入到一個長期的存儲器中（例如硬盤）。正因爲如此，有時也將RAM稱作“可變存儲器”。RAM內存可以進一步分爲靜態RAM（SRAM）和動態內存（DRAM）兩大類。DRAM由於具有較低的單位容量價格，所以被大量的採用作爲系統的主記憶。
ROM（Read OnlyMemory）的全名爲唯讀記憶體，它相當於PC機上的硬盤，用來存儲和保存數據。ROM數據不能隨意更新，但是在任何時候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數據。但是資料一但寫入後只能用特殊方法或根本無法更改，因此ROM常在嵌入式系統中擔任存放作業系統的用途。現在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM就不會。
由於ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當麻煩，因此就有了Flash Memory的發展 ，FlashMemory具有ROM不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時候任意更改資料 ，不過單價也比普通的ROM要高。
SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。動態RAM（DynamicRAM/DRAM）保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。
DRAM分爲很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裏介紹其中的一種DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDRSDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有着成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準－RambusDRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
內存工作原理：內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的"動態"，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認爲其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認爲其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最後撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因爲當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。
FLASH存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3裏用的就是這種存儲器。在過去的20年裏，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作爲它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。
目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH裏面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。NANDFlash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，採用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NANDFlash上的代碼，因此許多使用NAND
Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還用了一塊小的NORFlash來運行啓動代碼。
一般小容量的用NOR Flash，因爲其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk OnChip）和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生產NANDFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba及Hynix。
現在的單片機,RAM主要是做運行時數據存儲器,FLASH主要是程序存儲器,EEPROM主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數據.
另外，一些變量，都是放到RAM裏的，一些初始化數據比如液晶要顯示的內容界面，都是放到FLASH區裏的（也就是以前說的ROM區），EEPROM可用可不用，主要是存一些運行中的數據，掉電後且不丟失。
SRAM、SDRAM都用於程序工作時保存臨時數據和程序，因爲在系統調電後，保存在其中的數據都會丟失。
FLASH用於系統中保存長期的數據，如：配置信息，程序等。
由於SRAM接口電路簡單，在小系統中常用，SDRAM的接口相對複雜，需要相應的控制器支持，但由於容量大、價格便宜、訪問速度快，所以常用在對內存容量和處理速度要求高的應用場合，在這種場合中，相應的處理器（CPU）都自帶有SDRAM控制器。
DRAM是動態存儲器(DynamicRAM)的縮寫SDRAM是英文SynchronousDRAM的縮寫，譯成中文就是同步動態存儲器的意思。從技術角度上講，同步動態存儲器(SDRAM)是在現有的標準動態存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址數據和控制信號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，且也需時鐘進行刷新。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns
下面是常用概念的定義：
1、DRAM
DRAM（Dynamic RAM）: 動態隨機存儲器。
2、SDRAM
2、SDRAM
SDRAM（SynchronousDRAM）: 同步動態隨機存儲器。目前的168線64bit帶寬內存基本上都採用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存最快爲15ns。並將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間。所以其傳輸速率比EDODRAM更快。
3、DDR SDRAM
DDR（Double DataRate）SDRAM。其核心建立在SDRAM的基礎上，但在速度上有了提高。SDRAM僅在時鐘信號的上升沿讀取數據，而DDR在時鐘信號的上升沿和下降沿都讀取數據，因此，它的速度是標準SDRAM的2倍。
4、RDRAM
RDRAM（RambusDRAM）：總線式動態隨機存儲器，是由RAMBUS公司與INTEL公司合作提出的一項專利技術，它的數據傳輸率最高可達800MHZ，而它的總線寬度卻僅爲16bit，遠遠小於現在的SDRAM的64bit。
5、SPD
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM（ElectricallyErasable Programmable ROM 電可擦寫可編程只讀存儲器）,容量爲256字節，裏面主要保存了該內存的相關資料，如容量、芯片廠商、內存模組廠商、工作速度等。SPD的內容一般由內存模組製造商寫入。支持SPD的主板在啓動時自動檢測SPD中的資料，並以此設定內存的工作參數。