現在大多數電子系統都要支持熱插拔功能，所謂熱插拔，也就是在系統正常工作時，帶電對系統的某個單元進行插拔操作，且不對系統產生任何影響。
熱插拔對系統的影響主要有兩方面：其一，熱插拔時，連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現彈跳，引起電源振盪，如下圖所示：
這個振盪過程會引起系統電源跌落，引起誤碼，或系統重啓，也可能會引起連接器打火，引發火災。
解決的辦法就是延遲連接器的通電時間，在連接器抖動的那十幾毫秒內((t1至t2)不給連接器通電，等插入穩定後(t2後)再通電，即防抖動延時。
其二，熱插拔時，由於系統大容量儲能電容的充電效應，系統中會出現很大的衝擊電流，大家都知道，電容在充電時，電流呈指數趨勢下降(左下圖)，所以在剛開始充電的時候，其衝擊電流是非常大的。
此衝擊電流可能會燒燬設備電源保險管，所以在熱插拔時必須對衝擊電流進行控制，使其按理想的趨勢變化，如右上圖所示，圖中0~t1爲電源緩啓動時間。
綜上所述，緩啓動電路主要的作用是實現兩項功能：
1).防抖動延時上電；
2).控制輸入電流的上升斜率和幅值。
緩啓動電路有兩種類型：電壓斜率型和電流斜率型。
電壓斜率型緩啓動電路結構簡單，但是其輸出電流的變化受負載阻抗的影響較大，而電流斜率型緩啓動電路的輸出電流變化不受負載影響，但是電路結構複雜。
下面重點介紹電壓型緩啓動電路。
設計中通常使用MOS管來設計緩啓動電路的。MOS管有導通阻抗Rds低和驅動簡單的特點，在周圍加上少量元器件就可以構成緩慢啓動電路。通常情況下，在正電源中用PMOS，在負電源中使用NMOS。
下圖是用NMOS搭建的一個-48V電源緩啓動電路，我們來分析下緩啓動電路的工作原理。
1).D1是嵌位二極管，防止輸入電壓過大損壞後級電路；
2).R2和C1的作用是實現防抖動延時功能，實際應用中R2一般選20K歐姆，C1選4.7uF左右；
3).R1的作用是給C1提供一個快速放電通道，要求R1的分壓值大於D3的穩壓值，實際應用中，R1一般選10K左右；
4).R3和C2用來控制上電電流的上升斜率，實際應用中，R3一般選200K歐姆左右，C2取值爲10 nF~100nF；
5).R4和R5的作用是防止MOS管自激振盪，要求R4、R5lt;<R3，R4取值一般爲10～50歐姆之間，R5一般爲2K歐姆；
6).嵌位二極管D3的作用是保護MOS管Q1的柵-源極不被高壓擊穿；D2的作用是在MOS管導通後對R2、C1構成的防抖動延時電路和R3、C2構成的上電斜率控制電路進行隔離，防止MOS柵極充電過程受C1的影響。
下面來分析下該電路的緩啓動原理：
假設MOS管Q1的柵-源極間的寄生電容爲Cgs，柵-漏極間的寄生電容爲Cgd，漏-源極間的寄生電容爲Cds，柵-漏極外部並聯了電容C2 (C2gt;>Cgd)，所以柵-漏極的總電容C’gd=C2+ Cgd，由於相對於C2 來說，Cgd的容值幾乎可忽略不計，所以C’gd≈C2，MOS管柵極的開啓電壓爲Vth，正常工作時，MOS管柵源電壓爲Vw(此電壓等於穩壓管D3的嵌位電壓)，電容C1充電的時間常數t=(R1//R2//R3)C1，由於R3通常比R1、R2大很多，所以t≈(R1//R2)C1。
下面分三個階段來分析上述電壓緩啓動電路的工作原理：
第一階段：-48V電源對C1充電，充電公式如下。
Uc＝48R1/(R1+R2)[1-exp(-T/t)]，其中T是電容C1電壓上升到Uc的時間，時間常數t＝(R1//R2)C1。所以，從上電到MOS管開啓所需要的時間爲：Tth=-tln[1-(Uc*(R1+R2)/(48R1))]
第二階段：MOS管開啓後，漏極電流開始增大，其變化速度跟MOS管的跨導和柵源電壓變化率成正比，具體關係爲：dIdrain/dt = gfm dVgs/dt，其中gfm爲MOS管的跨導，是一個固定值，Idrain爲漏極電流，Vgs爲MOS管的柵源電壓，此期間體現爲柵源電壓對漏源電流的恆定控制，MOS管被歸納爲壓控型器件也是由此而來的。
第三階段：當漏源電流Idrain達到最大負載電流時，漏源電壓也達到飽和，同時，柵源電壓進入平臺期，設電壓幅度爲Vplt。由於這段時間內漏源電流Ids保持恆定，柵源電壓Vplt=Vth+(Ids/gfm)，同時，由於固定的柵源電壓使柵極電流全部通過反饋電容C’gd，則柵極電流爲Ig=(Vw-Vplt)/(R3+R5)，由於R5相對於R3可以忽略不計，所以Ig≈(Vw-Vplt)/R3。因爲柵極電流Ig≈Icgd，所以，Icgd=CgddVgd/dt。由於柵源電壓在這段時間內保持恆定，所以柵源電壓和漏源電壓的變化率相等。故有：dVds/dt=dVgd/dt=(Vw-Vplt)/(R3C2)。
由此公式可以得知，漏源電壓變化斜率與R3C2的值有關，對於負載恆定的系統，只要控制住R3C2的值，就能控制住熱插拔衝擊電流的上升斜率。
緩啓動階段，柵源電壓Vgs，漏源電壓Vds和漏源電流Ids的變化示意圖如下所示。
在0~t1階段，肖特基二極管D2尚未開啓，所以Vgs等於0，在這段時間內，-48V電源通過R3、R5對C2充電，等C2的電壓升高到D2的開啓電壓，MOS管的柵極電壓開始升高，等柵源電壓升高到MOS管的開啓電壓Vth時，MOS管導通，漏源電流Ids開始增大，等MOS管的柵源電壓升高到平臺電壓Vplt時，漏源電流Ids也達到最大，此時，漏源電壓Vds進入飽和，開始下降，平臺電壓Vplt結束時，MOS管完全導通，漏源電壓降到最低，MOS管的導通電阻Rds最小。