目前NB模塊的方案平臺主要有海思和MTK。海思平臺的串口電平電壓爲3V，MTK平臺的串口電平電壓爲1.8V，而MCU的供電電壓一般爲3.3V，或者直接用鋰電池供電爲3.6V，爲了降低串口的功耗，MCU的串口和NB模塊的串口連接需要做電平匹配。
第一種匹配方式，此方式只可用於海思平臺：
參考BC35-G的硬件參考手冊_V1.0版本，直接在MCU和NB模塊的串口之間串聯電阻，電路如下：
適用於MCU的供電電壓在2.7V~3.3V之間。由於模塊的TXD和RXD上有鉗位二極管，如果是鍺二極管，導通電壓爲0.3V，如果MCU的供電電壓大於3.3V，那麼MCU的TXD與NB的RXD之間會產生電流，產生的電流大小爲(VDDmcu-3.3)/1K，如果MCU的供電電壓爲3.6V，那麼產生的電流大小爲300uA。早期的BC95鉗位二極管爲硅二極管，導通電壓爲0.6V，所以MCU的供電電壓爲3.6V時也不會產生額外的電流，但是後期的BC95模塊，BC35，BC28模塊的鉗位二極管均爲鍺二極管。I/O上的鉗位二極管如下圖所示。
第二種方案，適用於海思平臺和MTK平臺：
使用三極管做電平匹配，波特率最高位460Kbps，需要特別注意的是兩個三級管基極的電壓都是VDD_EXT，如果MCU的供電電壓爲3.6V，MCU TXD線路上的三極管的基極的電壓爲VDDmcu，也會產生額外電流，因爲如果三極管基極的電壓比集電極的電壓高，那麼電流會從基極流向集電極。
第三種方式，使用電平轉換芯片。
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