目前NB模块的方案平台主要有海思和MTK。海思平台的串口电平电压为3V，MTK平台的串口电平电压为1.8V，而MCU的供电电压一般为3.3V，或者直接用锂电池供电为3.6V，为了降低串口的功耗，MCU的串口和NB模块的串口连接需要做电平匹配。
第一种匹配方式，此方式只可用于海思平台：
参考BC35-G的硬件参考手册_V1.0版本，直接在MCU和NB模块的串口之间串联电阻，电路如下：
适用于MCU的供电电压在2.7V~3.3V之间。由于模块的TXD和RXD上有钳位二极管，如果是锗二极管，导通电压为0.3V，如果MCU的供电电压大于3.3V，那么MCU的TXD与NB的RXD之间会产生电流，产生的电流大小为(VDDmcu-3.3)/1K，如果MCU的供电电压为3.6V，那么产生的电流大小为300uA。早期的BC95钳位二极管为硅二极管，导通电压为0.6V，所以MCU的供电电压为3.6V时也不会产生额外的电流，但是后期的BC95模块，BC35，BC28模块的钳位二极管均为锗二极管。I/O上的钳位二极管如下图所示。
第二种方案，适用于海思平台和MTK平台：
使用三极管做电平匹配，波特率最高位460Kbps，需要特别注意的是两个三级管基极的电压都是VDD_EXT，如果MCU的供电电压为3.6V，MCU TXD线路上的三极管的基极的电压为VDDmcu，也会产生额外电流，因为如果三极管基极的电压比集电极的电压高，那么电流会从基极流向集电极。
第三种方式，使用电平转换芯片。
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