本次得分爲：13.32/15.00, 本次測試的提交時間爲：2020-03-21, 如果你認爲本次測試成績不理想，你可以選擇再做一次再做一次。
【第4章 測試（上）】
1
單選(1分)
半導體存儲芯片的譯碼驅動方式有兩種_C__
得分/總分
A.
線選法和複用法
B.
片選法和重合法
C.
線選法和重合法
1.00/1.00
D.
線選法和片選法
2
單選(1分)
以下存儲器構成的體系結構中，存儲器存取速度由慢到快的排列順序是_A__
得分/總分
A.
輔存—主存—Cache—寄存器
1.00/1.00
B.
輔存—寄存器—主存—Cache
C.
輔存—主存—寄存器—Cache
D.
主存—輔存—Cache—寄存器
3
單選(1分)
DRAM的刷新方式，是以___B_爲單位進行的。
得分/總分
A.
列
B.
行
1.00/1.00
C.
存儲單元
D.
行或者列
4
單選(1分)
一般的虛擬存儲器系統是由__B_兩級存儲器構成。
得分/總分
A.
緩存—主存
B.
主存—輔存
1.00/1.00
C.
緩存—輔存
D.
寄存器—緩存
5
單選(1分)
DRAM存儲器主要通過__D_來存儲信息。
得分/總分
A.
寄存器
B.
磁介質
C.
觸發器
D.
電容
1.00/1.00
6
單選(1分)
下列關於主存存取速度說法錯誤的是 B
得分/總分
A.
通常存取週期大於存取時間
B.
存取週期（Memory Cycle Time)是指存儲器進行連續兩次獨立的存儲器操作所需的總時間
1.00/1.00
C.
存取時間又稱爲存儲器的訪問時間，是指啓動一次存儲器操作到完成該操作所需的全部時間
D.
存取時間分讀出時間和寫入時間兩種
7
單選(1分)
隨機存儲器按其存儲信息的原理不同，可以分爲靜態RAM和動態RAM兩大類。
動態RAM基礎電路有三管式和單管式兩種，它們的共同特點都是靠電容存儲電荷的原理來寄存信息。若電容上存有足夠多的電荷表示存“1”，電容上無電荷表示存“0”。電容上的電荷一般只能維持1~2ms，因此即使電源不掉電，信息也會自動消失。爲此，必須在2ms內對其所有存儲單元恢復一次原狀態，這個過程稱爲再生或刷新。
動態RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，異步刷新之分。
以下爲某動態RAM的的刷新時間分配示意圖如下，它的刷新方式爲___D__
得分/總分
A.
集中刷新
B.
上圖不是刷新時間分配圖
C.
異步刷新
D.
分散刷新
1.00/1.00
8
單選(1分)
下列選項中，一般不屬於CPU與主存間連線的是_D__
得分/總分
A.
讀寫控制線
B.
地址總線
C.
數據總線
D.
擴展總線
1.00/1.00
9
單選(1分)
某計算機機器字長爲16位，它的存儲容量是128KB，按字編址，它的尋址範圍是__D_
得分/總分
A.
64KB
0.00/1.00
B.
32KB
C.
32K
D.
64K
10
多選(2分)
與動態RAM相比，靜態RAM的特點有_ABC__
得分/總分
A.
速度快
0.67/2.00
B.
位價高
0.67/2.00
C.
功耗大
0.67/2.00
D.
集成度高
11
多選(2分)
主存各存儲單元的空間位置是由單元地址號來表示的，不同的機器存儲字長也不相同，通常用8位二進制數表示一個字節，因此存儲字長都取8的倍數。通常計算機系統即可以按字尋址，也可以按字節尋址。
如下所示，某機器1的字長爲32位，它的每一個存儲字包含4個可獨立尋址的字節，其地址分配如下圖（左）所示。某機器2的字長爲16位，字地址是2的整數倍，它用低位字節的地址來表示字地址，如下圖（右）所示。
以下說法正確的是：AC
得分/總分
A.
設地址線24根, 對於機器1，按字尋址4M
0.66/2.00
B.
設地址線24根, 對於機器2，按字尋址8M
C.
設地址線24根，對於機器1，按字節尋址 2^24 = 16M
0.66/2.00
D.
設地址線24根, 對於機器2，按字尋址4M
12
多選(2分)
以下關於動態RAM和靜態RAM刷新操作的描述正確的是_BC__
得分/總分
A.
動態RAM不需要刷新，靜態RAM需要刷新
B.
靜態RAM不需要刷新
1.00/2.00
C.
動態RAM需要刷新
1.00/2.00
D.
動態RAM和靜態RAM都需要刷新