存儲器的相關概念
- 存儲元：存放一個二進制位的物理器件
- 存儲單元：地址碼相同的存儲元，構成存儲單元
- 存儲體：若干個存儲單元的集合
隨機存儲器RAM
特點
- 易失性
- 隨機存取
分類
- 靜態隨機存儲器SRAM，一般用作Cache
- 動態隨機存儲器DRAM，一般用作主存
DRAM的工作原理
- 採用 地址複用技術 ，地址線是原來的1/2，且行列地址分兩次傳送
- 刷新週期：因DRAM電容的電荷流失，故每隔一定時間要對其刷新，通常取2ms，稱爲刷新週期
- 死區：一定時間間隔內，CPU不能訪問存儲器的
- DRAM刷新方式
a. 集中刷新：在一個刷新週期的某一固定時間段，依次對存儲器的 所有行 進行刷新
b. 分散刷新：對每個行的刷新，分散到各個工作週期中
c. 異步刷新：刷新週期除以行數，得到刷新一行的時間。一個刷新週期內刷新剛好對所有行刷新一遍 - 三種刷新方式的優缺點
a. 集中刷新：讀寫操作不受刷新工作影響，故系統存取速度較高，但是存在死區。
b. 分散刷新：沒有死區，但加長了系統的存取週期，降低了整機的速度
c. 異步刷新：即縮短了死時間，又充分利用了最大刷新間隔2ms - 注意：
a. DRAM的片選線有 行選通線 和 列選通線 兩條
b. DRAM刷新時間和存取週期相同
c. DRAM的 刷新單位是行，因此刷新操作只需要行地址
d. 刷新時不需要片選，即整個存儲器中 所有芯片同時刷新
SRAM和DRAM各自的特點
| 指標 | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| 存儲信息 | 觸發器 | 電容 |
| 破壞性讀出 | 否 | 是 |
| 需要刷新 | 否 | 是 |
| 送行列地址 | 同時送 | 分兩次送 |
| 運行速度 | 快 | 慢 |
| 集成度 | 低 | 高 |
| 發熱量 | 高 | 低 |
| 存儲成本 | 高 | 低 |
| 主要用途 | Cache | 主存 |
只讀存儲器ROM
特點
- 非易失性
- 隨機存取
ROM的類型
- 掩膜只讀存儲器MROM：只可在生產過程中直接寫入內容
- 一次性可編程只讀存儲器PROM：允許用戶一次性編程
- 可擦除可編程只讀存儲器EPROM
a. 允許用戶多次擦寫，但次數有限，且寫入時間過長
b. 分爲紫外線可擦除UVEPROM和電可擦除EEPROM - 閃存Flash Memory
- 固態硬盤Solid State Drives
簡單尋址的概念
1.地址線和數據線位數共同反映存儲芯片的容量，即存儲容量=存儲字數x存儲字長，(如1Mx8位)
2. 按字節尋址、按字尋址、按半字尋址、按雙字尋址
a. 即如存儲容量爲1Mx8位，幾種尋址的大小分別爲1B=8bit、8bit、4bit、16bit