STM32 存在字节对齐指针变量的地址都必须是4的倍数

   A: Write_N_4Byte_flash(FLASH_APP1_ADDR,(uint32_t*)(valid_data+8),len);

   B:Write_N_4Byte_flash(FLASH_APP1_ADDR,(uint32_t*)(valid_data+6),len);

 

 

A语句存在写入flash时读取valid_data数据失败

B语句则可以正常的读写valid_data中数据的数据内容

不知道照成上述问题的原因，本人估计是内存对齐的问题

 

代码展示：

 

uint8_t __NeetErease(uint32_t start_addr ,uint32_t len)
{
	//该函数len必须是4的倍数 即 len%4==0
	volatile uint32_t i=0;
	for(;i<len;i++)
	{
		if(Read_4Byte_flash(start_addr)!=0xffffffff)
		{
			break;
		}
		start_addr+=4;
		
	}
	return i==len ? 0:1;
}
uint8_t _Erease_Flash(uint32_t base_addr)
{
	uint8_t flag=0;
	FLASH_EraseInitTypeDef hflash;
	//擦除页
	hflash.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除类型 
	hflash.Banks = FLASH_BANK_1;
	hflash.PageAddress = base_addr;//页基地址
	hflash.NbPages = 1;//需要擦除的页数
	
	uint32_t error=0;
	
	if(HAL_FLASHEx_Erase(&hflash,&error)==HAL_OK)
	{
		flag=1;
	}
	return flag;
}


uint8_t Write_One_Page_Data(volatile uint32_t base_addr,volatile uint32_t page_offst,volatile uint32_t *ppdata,volatile uint32_t erease_size)
{
	volatile uint8_t flag=0;
	volatile uint16_t i=0;
	volatile uint16_t cnt;
	volatile uint32_t cur_addr=0;
	//static uint8_t add=0;
	//add++;
	//HAL_FLASH_Unlock();
	if(__NeetErease(base_addr,erease_size))
	{
		memset((void*)flash_data,0,STM32_FLASH_PAGE_SIZE);
		for(i=0;i<page_offst ;i++)
		{
			cur_addr = base_addr + i*4;
			flash_data[i]=Read_4Byte_flash(cur_addr);
		}
		_Erease_Flash(base_addr);
		//写入数据
		i=page_offst;
		cnt = erease_size+page_offst;
		for(;i<cnt;i++)
		{
			flash_data[i]=*ppdata;
			//flash_data[i]=i+add;
			ppdata++;
		}
		for(i=0;i<erease_size+page_offst;i++)
		{
			cur_addr = base_addr+i*4;
			if(cur_addr%4==0&& cur_addr >STM32_FLASH_BASE)
			{
				HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,cur_addr,flash_data[i]);
			}
		}
	}
	else //不需要擦除就从偏移开始
	{
		for(i=page_offst;i<erease_size+page_offst;i++)
		{
			cur_addr = base_addr+i*4;
			if(cur_addr%4==0&& cur_addr >STM32_FLASH_BASE)
			{
				HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,cur_addr,*ppdata);
				ppdata++;
			}
		}
	}
	
	
		
		
	//HAL_FLASH_Lock();
	return 1;
}

/*
本函数操作的整型数据 4个字节；flash是以一个字节为一个地址的
addr 起始地址
data 数据开始地址
surplus  整型数据长度1len=4Byte ;最大为 	STM32_FLASH_PAGE_SIZE/4; 
*/
	
uint8_t Write_N_4Byte_flash(uint32_t addr,uint32_t *data,uint32_t len)
{
	volatile uint32_t start_page=0;    //起始页
	volatile uint32_t page_size=0;     //需要操作页的大小
	volatile uint32_t _offset=0;       //页操作页码的起始地址
	volatile uint32_t page_offset=0;   //页偏移
	volatile uint32_t erease_size=0;  //本次操作页可以使用的剩余大小
	volatile uint32_t base_addr=0;    //本次操作页的基地址		
	volatile uint32_t surplus=0;
	start_page=((uint32_t)addr-STM32_FLASH_BASE)/STM32_FLASH_PAGE_SIZE;
	_offset = (((uint32_t)addr-STM32_FLASH_BASE)%STM32_FLASH_PAGE_SIZE)/4;	
	
	if(PAGE_INT_SIZE-_offset>=len)
	{
		page_size=1;
		surplus=0;
	}
	else
	{
		page_size=1;
		surplus = len-(PAGE_INT_SIZE-_offset);
		page_size +=surplus/PAGE_INT_SIZE + surplus%PAGE_INT_SIZE>0?1:0;
		
	}
	surplus=len;
	for(page_offset=0;page_offset<page_size;page_offset++)
	{

		if(page_offset==0)
		{
			erease_size =(PAGE_INT_SIZE-_offset)<surplus ? (PAGE_INT_SIZE-_offset):surplus;
			base_addr = STM32_FLASH_BASE + start_page*STM32_FLASH_PAGE_SIZE;
			surplus = len-erease_size;
		}
		else
		{
			_offset=0;
			erease_size =surplus>PAGE_INT_SIZE ? PAGE_INT_SIZE:surplus;
			base_addr = STM32_FLASH_BASE + (start_page+page_offset)*STM32_FLASH_PAGE_SIZE;
			surplus = surplus-erease_size;
		}

		Write_One_Page_Data(base_addr,_offset,data,erease_size);	
		data+=erease_size;
			//_offset=0;
		
	}
	
	return 1;
}

 

补充说明，问题产生原因：

上图中给指针赋值就会出问题，程序就会跑到HardFault_Handler()里

 

0x20000a1和0x20000a0 都不是4的倍数

根据map文件的内容可以看见每个变量都是4的倍数的地址，STM32内存4字节对齐