原创 符合汽車行業AEC Q100規範的富士通FRAM鐵電存儲器解決方案

汽車產業正經歷史上最大幅度的轉型。通過全新FRAM解決方案,得以支持創新公司將創意轉化爲實際產品。富士通推出的FRAM解決方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY,這兩款器件可在高達攝氏125度的高溫環境下運作,專爲汽車產業和

原创 醫療設備專用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM

Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用於醫療設備中的非易失存儲器,例如在醫用呼吸中,4Mb (MR25H40)的MRAM可用於存儲操作軟件程序變量。存儲在MRAM的數據在呼吸機關閉期間保存。 MR25H40是一

原创 基於ARM Cortex M0 核心的巨微MS1793S低功耗藍牙芯片

MS1793S 是一款基於ARM Cortex M0 核心的低功耗藍牙芯片,射頻採用2.4GHz ISM 頻段的頻率,2MHz 信道間隔,符合藍牙規範。MS1793S使用高性能的ARM®Cortex®-M0 爲內核的32 位MCU,它的工作

原创 內存ram容量計算

ram也叫隨機存取記憶體,它就相當於PC機上的移動存儲,主要是用來存儲和保存數據的。它在任何時候都可以進行讀寫,RAM存儲器通常是作爲操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質。但是當電源關閉時RAM不能保留數據,如果需要保存數據,就必須把它

原创 sram是靠什麼存儲信息

半導體存儲器SRAM是靠雙穩態存儲信息,而半導體存儲器DRAM則是靠電容存儲,半導體靜態存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩態電路存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼.由

原创 SRAM隨機存儲器的特點及結構

隨着微電子技術的迅猛發展,SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中,靜態存儲器(SRAM)由於其廣泛的應用成爲其中不可或缺的重要一員。由英尚微詳細介紹關於SRAM隨機存儲器的特點及結構。 SRAM隨機

原创 滿足工作要求125°C的富士通車載FRAM

如今圍繞車載設備的環境,廢氣排放得到嚴格限制,並要求低能耗,且安全裝備等都是利用電子器件進行復雜控制。爲了實現低能耗,就需要更多的使用斷電後仍能保留數據的非易失性存儲器。出現問題時因爲重要的原始數據都須保留在存儲器中,這就要求存儲器具有高可

原创 靈動微MM32L052TW可替換STM32F042F6P6

國內本土MCU供應商靈動微爲市場提供了上億隻ARM Cortex-M0及Cortex-M3 內核的32位MCU產品器件,針對用戶不同行業領域的需求開發出各種功能系列的MCU產品,其中有針對超低功耗及安全應用的MM32L系列.如型號MM32L

原创 MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批准生產

EVERSPIN的SPI產品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盤的新型DFN8封裝。這種新封裝允許該器件既可用於JEDEC標準SOIC-8引腳又可用於DFN8 PCB焊盤圖案。圖1顯示了典型的SOIC-8 PCB焊盤圖案。 一些everspi

原创 熱電堆紅外傳感器可應用於微波爐

一般來說,微波是一種高頻電磁波,本身不產生熱量,自然界中普遍都有微波,但這些微波比較分散,所以不能被用來加熱食物。而微波爐使用磁控管將其內部的電能轉換爲微波,並以2450MHz的振盪頻率穿透食物。當微波被食物吸收時,食物中的極性分子(如水、

原创 Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA

用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一般注意事項每次使用MRAM進行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性。沒有數據從易失性存

原创 靈動微MM32F031F4P6可替換GD32E230F4P6

靈動微電子針對不同的行業開發並提供了大量的MCU產品,如開發的這款型號爲MM32F031F4P6的產品,該系列產品使用高性能的 ARM® Cortex®-M0 爲內核的 32 位微控制器,最高工作頻率可達72MHz,內置高速存儲器,豐富的增

原创 Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF

MR20H40CDF是Everspin 所生產的由4194,304位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備系列,組織爲524,288個8位字。對於必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序,它們是理想的內存解決方案。它們具有串行E

原创 帶can的國產mcu單片機MM32L073

MM32L073使用高性能的ARM®CortexTM-M0爲內核的32位微控制器,最高工作頻率可達48兆赫茲,內置高速存儲器,豐富的增強型I/O端口和外設連接到外部總線。MM32L073產品包含1個12位的ADC、2個比較器、1個16位通用

原创 MCU系統中Iot RAM的潛在應用

我們來看一下MCU設計中的情況,其中IoT RAM明顯比外部DRAM具有優勢。在下面的通用MCU圖中,工作/靜態存儲器部分越來越需要擴展。在整個工作空間中使用DRAM會增加系統的功耗,並需要集成刷新控制器。 通過用IoT ram替換DRAM