原创 32位單片機STM32F7外擴QSPI SRAM芯片

意法半導體STM32F7系列MCU採用高性能的ARM Cortex-M7核心,藉助ST的ART Accelerator™和L1緩存,STM32F7微控制器可提供Cortex-M7內核的最高理論性能,而無論代碼是從嵌入式閃存還是由外

原创 分享一款可兼容STM32F103C8T6的國產32位單片機MM32F103C8T6

MM32F103C8T6使用高性能的ARM CortexTM-M3 爲內核的32 位微控制器,工作頻率最高可達168MHZ,內置高速存儲器,豐富的增強型I/O 端口和外設連接到外部總線。該產品系列工作電壓爲2.0V~ 5.5V,工

原创 應用於醫療設備中的並行接口MRAM-MR5A16A

Everspin並行輸入/輸出MRAM產品的簡單異步靜態隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設計易於實現,無需額外的組件或生態系統支持。Everspin MRAM技術的強大可靠性使工程師們能夠使用Everspi

原创 低功耗藍牙芯片功耗主要來源

無線連接設備對功耗要求高,平衡BLE性能和功耗十分關鍵。在可穿戴設備、藍牙位置服務、智能家居、工業物聯網等藍牙新興應用方向中,這些設備不需要時刻保持運行,只需在被喚醒時,進行數據傳輸或執行控制,而且每次傳輸的數據量不大。出於體積限

原创 BLE Beacon專用芯片解決方案—巨微MG127

藍牙低功耗(BLE)技術是藍牙V4.0核心規範的一部分,它可以滿足小型電池供電的設備進行低功耗無線連接的要求,並大大延長電池壽命.主要應用包括:定位標籤,資產跟蹤,運動及健身傳感器等。 巨微藍牙芯片MG127 是一款低功耗、低成本

原创 當前存儲器和新興非易失性存儲器技術的特點

良好的設計是成功製造非易失性存儲器產品的重要關鍵,包括測試和驗證設備性能以及在製造後一次在晶圓和設備級別進行質量控制測試。新興的非易失性存儲器技術的製造和測試,這些技術將支持物聯網,人工智能以及先進的網絡開發和商業化,但首先讓我們

原创 超低功耗CMOS 16Mbit SRAM

IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態RAM,組織爲1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術製造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術,可生產出高性能和低功耗的設備。 IS62WV1

原创 醫用呼吸機Everspin MRAM應用筆記

由於當前疫情的大流行,增加醫用呼吸機的供應迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨特的MRAM存儲技術,它將爲這類設備的電子系統設計帶來好處。 呼吸機是一種通過將可呼吸的空氣移入和移出肺部來提供機械通氣的機

原创 32Mb高速低功耗異步SRAM

ISSI 32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創新的設計加強了ISSI對具有最高質量和性能的SRAM的長期承諾。32Mb SRAM在汽車A3溫度範圍(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的訪問時間。 ISSI IS61/64

原创 巨微通用BLE射頻前端芯片—MG126

巨微MG126 是內部集成了發射機、接收機、GFSK 調制解調器和BLE 基帶處理的一款低功耗、低成本的BLE 收發器。MG126 採用QFN16 封裝,芯片大小爲3mm x 3mm。搭配Cortex-M0 MCU 和少數外圍被動

原创 靈動微MM32F103單片機常見問題解答

靈動微MM32F103系列產品使用高性能內核M3的 32 位微控制器,典型工作頻率可達144MHZ,內置高速存儲器,豐富的增強型 I/O 端口和外設連接到外部總線。提供5種封裝形式,包括 LQFP100、LQFP64、LQFP48

原创 STM32F4驅動外部SRAM芯片XM8A51216

STM32F407ZGT6自帶了192K字節的SRAM,對一般應用來說,已經足夠了,不過在一些對內存要求高的場合,STM32F4自帶的這些內存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等,就可能不太夠用,所以STM32F4開發闆闆載了一顆

原创 靈動微MM32W系列低功耗MCU智能鎖解決方案

智能鎖方案中使用到靈動微MM32W系列低功耗MCU,配合手機通過APP讀取智能鎖藍牙信息,嘗試配對,配對成功即可正常通訊,手機APP通過藍牙把指令發送給智能鎖進行解鎖,整個流程簡單可靠,該方案將徹底告別傳統鑰匙開鎖。藍牙智能鎖安全

原创 靈動微MM32 eMiniBoard介紹

板子名稱 MM32 eMiniBoard(MCU型號:MM32L073PF) MM32 eMiniBoard開發板照片及簡介 MM32 eMiniBoard 圖片 MM32 eMiniBoard 簡介 • MM32L073

原创 FRAM技術的優勢擴展到微控制器

FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數據保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基於FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們儘管間歇性的斷電操作多年,並長期保持數據的能力建立這些強