長江存儲推出全新3D NAND架構,半導體市場再起波瀾

長江存儲自成爲NAND閃存職業的新晉者以來,也自稱爲我國存儲器產業開展的要點廠商之一以來,長江存儲的研發進程一向備受廠商重視。而近日,長江存儲終於不負衆望,迎來了該領域的重大突破。8月6日,長江存儲發佈一項突破性技能——Xtacking™。
該技能能夠爲3D NAND閃存帶來史無前例的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產品上市週期。

詳細而言,選用長江存儲Xtacking™技能,NAND的輸入輸出速度有望與DRAM DDR4的I/O速度一較高下;此外,與傳統的3D NAND架構比較,該技能還能夠經過將外圍電路置於存儲單元之上,然後完成更高的存儲密度;與此一起,Xtacking™技能還充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢,大幅縮短3D NAND產品的上市時刻。

長江存儲表明,現在已成功將Xtacking™技能使用於其第二代3D NAND產品的開發,該產品估計於2019年進入量產階段。

而就在該技能發佈的前兩天(即8月4日),紫光集團聯席總裁刁石京泄漏,我國首批具有自主知識產權的32層3D NAND閃存芯片將於本年第四季度完成量產。而64層3D NAND閃存芯片也計劃於2019年量產。

由此看來,此次長江存儲發佈的Xtacking™或許將在2019年的64層3D NAND閃存芯片中得到使用。這一使用,標誌着我國的閃存技術又邁向了新的高峯。

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