計算機內存讀取寫入原理是什麼？
通常我們所熟悉的計算機內存條，外觀是一個長方形的，上面有的黑色小正方形就是內存顆粒，還有一些電子原件，內存的工作原理分4部分，請樓主耐心看完：
內存工作原理
1.內存尋址
首先，內存從CPU獲得查找某個數據的指令，然後再找出存取資料的位置時（這個動作稱爲“尋址”），它先定出橫座標（也就是“列地址”）再定出縱座標（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對於電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫座標有橫座標的信號（也就是RAS信號，Row Address Strobe）縱座標有縱座標的信號（也就是CAS信號，Column Address Strobe），最後再進行讀或寫的動作。因此，內存在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內有定地址兩個操作以及判讀地址兩個信號，共四個操作）以及或讀或寫的操作，才能完成內存的存取操作。
2.內存傳輸
爲了儲存資料，或者是從內存內部讀取資料，CPU都會爲這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字尋址方式），這個時候，CPU會通過地址總線（Address Bus）將地址送到內存，然後數據總線（Data Bus）就會把對應的正確數據送往微處理器，傳回去給CPU使用。
3.存取時間
所謂存取時間，指的是CPU讀或寫內存內資料的過程時間，也稱爲總線循環（bus cycle）。以讀取爲例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的特定資料，內存響應CPU後便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數據爲止，便成爲一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內存回覆指令，並丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的內存實際頻率爲1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2
667）。
4.內存延遲
內存的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等於下列時間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，芯片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘週期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘週期,用於決定正確的行地址)，CAS延遲時間 (2-3時鐘週期,用於決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘週期來傳送數據，數據從DRAM輸出緩存通過芯片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘週期)。一般的說明內存延遲涉及四個參數CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延遲，RAS（Row
Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RAS Precharge（RAS預衝電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對於時鐘下沿的數據讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內存從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的數據3—3—3—6中，第一參數就是CAS延遲（CL＝3）。當然，延遲越小速度越快。
內存最常見的故障就是出現在金手指部分和內存顆粒損壞，金手指部分的故障比較容易解決，一般只需將金手指用橡皮擦擦感覺即可，內存顆粒就要專業的維修人員才能解決。
因爲製作材料和工作原理不同，內存是一種半導體存儲器，簡稱RAM。RAM的優點是存取速度快、讀寫方便，缺點是數據不能長久保持，斷電後自行消失，因此主要用於計算機主存儲器等要求快速存儲的系統。按工作方式不同，可分爲靜態和動態兩類。靜態隨機存儲器（SRAM）的單元電路是觸發器，存入的信息在規定的電源電壓下便不會改變。SRAM速度快，使用方便。動態隨機存儲器 （ DRAM ）的單元由一個金屬-氧化物-半導體（MOS）電容和一個MOS晶體管構成，數據以電荷形式存放在電容之中 ，需每隔 2～4毫秒對單元電路存儲信息重寫一次（刷新）。