flash性質

• 頁page（4K）→塊block（通常64個page組成一個block，有的是128個）→面band（多個blcok組成）→die（band就是一個die）→閃存片（多個die組成）→SSD（多顆閃存片組成）
  
• 每次寫操作之前，都要先擦除：erase-before-write。
• NAND flash讀和寫的最小單位是page，擦除的最小單位是block。
• 寫放大（write amplification）：實際實際寫入的數據，比請求的數據多。寫放大的根源是垃圾回收GC。
• SSD：flash based SSD，PCM based SSD
• 讀、寫、擦除的速度不對稱。讀最快，寫其次，擦除最慢。
• 無法就地更新in-place update，因爲寫之前要進行擦除操作。
• 不能隨機寫page，要順序的寫。