PCM性質

• 電阻偏移，持久性有一個有限的時間，最大10^7s。與相鄰的單元發生衝突。
• 讀性能與DRAM差不多，但寫性能相差較大。
• 非易失性 non-volatility
• byte-addressability
• 寫的速度越快，持久性越差，相反也成立。因爲，target band 越大，寫的速度越快，持久性就越差。target band 越小，需要迭代寫——以使cell達到所需的電阻要求——的次數就越多，因此速度就越慢。