在一般的讀寫外部RAM的程序中，經常看到這樣的句子：
XBYTE[address]=data 寫數據
data=XBYTE[address] 讀數據
採用XBYTE後，就不用顧及其時序，就是說，讀寫數據的時候，WR和RD怎麼都不用用程序去控制。
讀寫外部RAM的程序，不需關注WR和RD端口的控制。
#define W_DATA XBYTE[0x1000]
W_DATA=0X55;
上面語句轉爲彙編表示如下：
mov dptr,#1000h
mov a,#55h
movx @dptr,a
因爲對於單片機僅僅MOVX指令（16位指令）才能訪問外部數據存儲器，又因爲單片機P0口已經作爲數據口與單片機相連，因此只能使用擁有高8位地址的P2口，且P2口僅僅在16位地址操作中才有用，因此編址採用16位形式，用不到的補零。
而對於Nandflash訪存操作XBYTE[1000]中的地址是由硬件電路的連線所決定的，一般來說flash的操作分爲命令、地址、數據，而這三個操作是由ALE、CLE信號（引腳）來區別的，一般這兩個引腳會與單片機P2口相連接。ALE、CLE信號如下：（0,1）寫命令、（1,0）寫地址、（0，0）寫數據，因此ALE、CLE與P2口連接情況決定了Nand的命令端口、地址端口和數據端口。
例如若ALE與P2.7，CLE與P2.6，WP與P2.5相連，且由於P2口對應XBYTE的高位，因此可知Nand的命令端口地址爲：0x6000（01100000），地址端口地址爲：0xA000（10100000），數據端口地址爲：0x2000（00100000）。
Nandflash 的存儲結構如下（不同的flash的行、列數不同）：
（上傳不了圖片。。）
Flash共分位64K個行（頁），2K+64個列。其中每頁含2K+64個字節，每列1個字節。下圖Flash容量爲64K*（2112）= 132MB。
其訪存時的4個地址序列中，A0-A11（2048）個地址確定列，A12-A27（65536）確定頁也就是行，這樣就能確定所要訪問的字節地址了。
例如，若想訪問第3頁的第1列的數據，則4個地址序列分別爲：0x80(A0-A7),0x00(A8-A11),0xc0,0x00