內存和外存的概念
內存
內存指 內部存儲器，運行程序的地方 RAM
外存
外存指 外部存儲器， 保存數據或者文件的地方 ROM
CPU連接內存和外存的方式
內存通過數據總線和地址總線直接和CPU 相連接。
好處 ： 訪問速度快，操作方式方便
壞處 ： 佔用CPU地址空間
外存通過CPU的外存控制器接口和CPU 相連接。
好處 ： 不佔用CPU I/O資源
壞處 ： 讀取速度較慢，訪問外存控制器的時序較爲複雜。
SOC常用的外部存儲器類型
NOR Flash
最早出現的Flash存儲器，支持總線式訪問，代碼可以直接在Nor中運行，CPU可以像訪問內存一樣訪問Nor Flash，在嵌入式發展到額初期階段常用於存儲啓動代碼，例如s3c2440開發板的Nor Flash啓動。
Nand Flash
集成密度高，存儲空間較大，相對於Nor來說很便宜，讀取速度比Nor慢，寫入速度比Nor快，需要專門的讀寫電路。但是穩定性不如Nor，會出現壞塊，讀寫數據需要校驗。此外Nand Flash 還分爲 SLC顆粒和MLC顆粒，詳細情況見後文。
SATA硬盤
改進版的Nand Flash
SD卡/TF卡/MMC卡
eMMC/iNand/moviNand
(Embedded Multi Media Card) MMC協會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口並管理閃存。
iNAND是SanDisk公司研發的存儲芯片，可以簡單的看成SD卡或MMC卡芯片化。用戶完全可以默認他是SD卡或者MMC卡。
moviNand是三星公司研發的存儲芯片，功能類似於iNand。
OneNand
三星公司研發的結合Nor優點和Nand Flash 高容量存儲特點的Flash
eSSD
Embeded SSD 採用 MLC Nand Flash技術
此幾類Flash都是基於Nand Flash 的 都是在Nand Flash的基礎上加入讀寫控制電路以及檢驗和壞塊檢測電路等製成的。
Nand Flash的SLC 和MLC對比
SLC（Single-Level Cell ）單層單元閃存，每個單元存儲一位數據，一般而言，SLC雖然生產成本較高，但在效能上大幅勝於MLC。
MLC（Multi-Level Cell) 多層單元閃存，通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。
A.讀寫速度較慢。相對主流SLC芯片，MLC芯片目前技術條件下，理論速度只能達到2MB左右，因此對於速度要求較高的應用會有一些問題。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
C.MLC理論寫入次數上限相對較少，因此在相同使用情況下，使用壽命比較SLC短。
D.MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
