存儲器應用廣泛，雲存儲使存儲器的需求從2維到3維，因此數據倉庫不再是比喻，而是真正的後臺支持。三星、東芝、美光、SK海力士等NAND Flash向3D技術發展，物聯網(Internet of Things)相關半導體需求帶來的設備商機，數據中心和雲計算系統的存儲體系，使國際半導體設備材料產業協會(SEMI)預測半導體設備市場，2017年市場規模將達434億美元，比2016年高9.3%，這是2015年起連續第3年維持成長。
1.3D存儲器技術的開始與發展
三星成功量產3D NAND之後，英特爾在2015年研發出3D Xpoint新閃存技術，東芝、美光、SK海力士也在2016年陸續投產3D NAND，2017年原廠3D技術紛紛提升到64層3D NAND投產，英特爾也將3D XPoint開始用於SSD產品。
NAND Flash的3D技術與2D技術在結構上截然不同。簡單來講，2D NAND好比是平房，3D NAND則猶如聳立的高樓大廈，也因此Flash原廠近幾年大手筆增加投資金額建廠或更新設備。其中三星2013年在中國西安建3D NAND專用工廠，2015年開建的平澤廠也將在2017年投入生產，東芝改造Fab 2工廠，並開始新建Fab 6工廠，還有美光Fab 10X和SK海力士M14，以及SK海力士將要新建的M15工廠，這些都需要採購新設備生產3D NAND。
東京威力科創(Tokyo Electron)執行董事堀哲朗表示，2016會計年度(2016/4~2017/3)的NAND設備訂單是2015會計年度的2倍；愛德萬(Advantest)社長吉田芳明認爲，NAND設備訂單需求至少會持續到2017會計年度上半年，甚至更長。
雖然東芝計劃出售東芝Memory新公司股權可能會影響到3D NAND設備投資計劃，以及Fab 6新建計劃，但不至於影響到整個半導體設備的訂單需求。另一方面，物聯網相關半導體需求的成長，也給半導體設備市場帶來了新需求。
2.堆疊式存儲器
堆疊路由器是簡單的路由器，然而堆疊式存儲器卻是最先進的存儲器。
據外媒報道，東芝今天宣佈正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，採用64層堆疊，單晶粒容量512Gb(64GB，TLC）,相對於上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
只需要兩顆芯片，就能造出近2TB容量的單面M.2 SSD，而且成本更低。
不過，目前，64層3D閃存（512Gb）仍是試樣出貨，但64層（256Gb）已經量產。
如此以來，今後500GB~2TB的SSD將漸漸成爲主流，120GB/240GB逐步淘汰。
3.層式建築
根據3D存儲器的設計。將許多立體層狀的建築組成一個高樓，而不再是結構式方式，可解決廁所等通風問題。
從側面看，立體層式建築就像多張郵票一樣並行而立。每一張郵票是一個立體層。