FLASH模擬eeprom 可以做到像eeprom一樣讀取數據，同樣掉電不會丟失，但是頻繁讀取修改這種方法不可取。
FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量佔芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。 在芯片的內電路中，FLASH和EEPROM不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程序存儲器和非易失數據存儲器都可以只用FALSH結構或EEPROM結構，甚至可以用“變通”的技術手段在程序存儲區模擬“數據存儲區”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定義，屬EEPROM無疑，首款Flash推出時其數據手冊上也清楚的標明是EEPROM，現在的多數Flash手冊上也是這麼標明的，二者的關係是“白馬”和“馬”。至於爲什麼業界要區分二者，主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和傳統EEPROM截然不同，次要的原因是爲了語言的簡練，非正式文件和口語中Flash EEPROM就簡稱爲Flash，這裏要強調的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區別Flash和傳統EEPROM。Flash的特點是結構簡單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數據量下的操作速度更快，但缺點是操作過程麻煩，特別是在小數據量反覆重寫時，所以在MCU中Flash結構適於不需頻繁改寫的程序存儲器。 很多應用中，需要頻繁的改寫某些小量數據且需掉電非易失，傳統結構的EEPROM在此非常適合，所以很多MCU內部設計了兩種EEPROM結構，FLASH的和傳統的以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨着ISP、IAP的流行，特別是在程序存儲地址空間和數據存儲地址空間重疊的MCU系中，現在越來越多的MCU生產商用支持IAP的程序存儲器來模擬EEPROM對應的數據存儲器，這是低成本下實現非易失數據存儲器的一種變通方法。爲在商業宣傳上取得和雙EEPROM工藝的“等效”性，不少採用Flash程序存儲器“模擬”（注意，技術概念上並非真正的模擬）EEPROM數據存儲器的廠家紛紛宣稱其產品是帶EEPROM的，嚴格說，這是非常不嚴謹的，但商人有商人的目的和方法，用Flash“模擬”EEPROM可以獲取更大商業利益，所以在事實上，技術概念混淆的始作俑者正是他們。
從成本上講，用Flash“模擬”EEPROM是合算的，反之不會有人幹，用EEPROM模擬Flash是怎麼回事呢？這可能出在某些程序存儲空間和數據存儲空間連續的MCU上。這類MCU中特別是存儲容量不大的低端MCU依然採用EEPROM作爲非易失存儲器，這在成本上反而比採用Flash和傳統EEPROM雙工藝的設計更低，但這種現象僅僅限於小容量前提下。因Flash工藝的流行，現在很多商人和不夠嚴謹的技術人員將程序存儲器稱爲Flash，對於那些僅採用傳統EEPROM工藝的MCU而言，他們不求甚解，故而錯誤的將EEPROM程序存儲器稱爲“ 模擬Flash”，根本的原因是他們未理解Flash只是一種存儲器結構而非存儲器的用途，錯誤的前提自然導致錯誤的結論。商業上講，用EEPROM模擬 Flash是不會有人真去做的愚蠢行爲，這違背商業追求最大利益的原則，技術上也不可行，而對於技術人員而言。本質的問題是Flash是一種存儲器類型而非MCU中的程序存儲器，即使MCU的程序存儲器用的是Flash，但其逆命題不成立。