博主以後想講下FTL(Flash Translation Layer)，所以先從Nand Flash先講起。由於是第一次寫博客，文筆、排版、邏輯性不好，所以多多見諒。
本文章主要從下面幾個方面來介紹Nand Flash：
- Nand Flash的基本介紹
- Nand Flash的分類
- Nand Flash的存儲原理
Nand Flash的基本介紹
Nand-flash內存是flash內存的一種，其內部採用非線性宏單元模式，爲固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如U盤、eMMC、SSD等等等..
Nand Flash分類
SLC：
傳統上，每個存儲單元內存儲1個信息比特，稱爲單階存儲單元（Single-Level Cell,SLC），使用這種存儲單元的閃存也稱爲單階存儲單元閃存（SLC flash memory），或簡稱SLC閃存。SLC閃存的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長。然而，由於每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生產，大多數用在企業上，很少有消費型SLC存儲設備拿來販賣，富士通生產的FSX系列是首款使用SLC芯片消費型固態硬盤，在2014販售。
MLC：
多階存儲單元（Multi-Level Cell,MLC）可以在每個存儲單元內存儲2個以上的信息比特，其“多階”指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能存儲多個比特的值於每個存儲單元中。藉由每個存儲單元可存儲更多的比特，MLC閃存可降低生產成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術會用在標準型的儲存卡，也用在最常見的消費型固態硬盤和U盤上。
TLC：
三階儲存單元（Triple-Level Cell, TLC），這種架構的原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其爲3-bit MLC。（雖然現在SSD、eMMC用TLC Flash不受待見，但我想說，其實夠用的~當然有錢上MLC更好了）
V-NAND：
將NAND閃存在垂直方向進行堆疊和互聯，藉以提高單位面積的內存容量。最近很火的V-NAND，按存儲單元架構來分，也是屬於上面三種之一。
Nand Flash存儲原理
N-channel MOSFET(N型金氧半場效應晶體管）
Nand Flash存儲單位Cell結構如上圖，爲N-channel MOSFET，利用浮動門（Floating Gate）通過保存電子來保存比特信息。
在控制極施加電壓，源極和漏極爲低電平，電壓形成一個電場，電子可以通過從源極、漏極通過N-Channel穿過二氧化硅到浮動門電路。二氧化硅起絕緣作用。在充電過程中，電子電荷被存儲在浮動門電路（隧穿）。在沒有電場的情況下，電子無法進入或者逃離浮動門電路。當在控制極中給予反方向電場，可以把浮動門中電子“吸出”。
在SLC類型中，只需要兩種狀態，所以被充電到一定電勢的Cell表示0，反之表示1。MLC一個Cell的電勢分爲四個等級，分別代表（00,01,10,11），同理TLC有8個等級的電勢來代表(000,001,010,011,100,101,110,111）。按此類推，如果以後有n-Bit MLC，那麼一個Cell就需要2^n種狀態，電勢分爲2^n個等級。
由於在電子隧穿時候，二氧化硅會損耗，在二氧化硅破損後，原子鍵斷裂，在隧穿的過程中，電子可能會被二氧化硅捕獲，使得這裏電勢變化，影響控制柵極的電壓。每個單元都有一個最大的P/E(Program/Erase)循環數量。
參考
[1]https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory
[2]http://baike.baidu.com/link?url=6p7s9yn68AIIS0iBn6lSbaRwznIHgyK28-uK91v1l9ycUn5K4OoLG_U_cyhvv-UnG_v7sijnwPWygN9kkd-wlq
[3]《Inside Nand Flash Memories》
[4]http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5ODM1OTg2MQ==&mid=205599198&idx=1&sn=a253b557f6472c8cdc5ff89df14d5419&wm=9006_2001#rd