原创 嵌入式單元測試實踐介紹 - 0

背景:              實踐單元測試一段時間了,感覺十分有用,具體單元測試的好處,這邊不描述,單元測試的基本概念,這裏也不描述了。本文章是介紹單元測試在嵌入式開發的應用。         我這邊使用的單元測試框架是:Unity,

原创 關於項目delay的反思

         背景:最近半年在負責項目組中負責新FTL的研發,團隊有2-3人,項目時間經常會delay,經常需要加班趕工,身體情況在上半年直線下降等等常見的問題。項目還沒有交付,在此對之前的問題進行總結,希望後面進展避開這些雷。 問題

原创 Nand Flash管理算法介紹之FTL簡介

和傳統磁盤相比,Nand Flash存儲設備存儲延遲低、功耗低、更高的存儲密度、抗震型號更好和噪聲低。但是,由於Nand Flash的特性影響(讀寫擦的單位不一致,每個塊有P/E次數限制),Nand Flash不能直接通過簡單的接口轉換

原创 Nand Flash學習筆記3-Read Disturb

Read Disturb,讀干擾,主要是讀頁操作,會對同一個塊內其它頁造成干擾,隨着Flash製程的提高、一個物理塊頁數更多、和單個Cell存儲的信息更多(TLC、QLC),此問題會變得更加突出。嚴重的情況下會導致讀回來的數據出錯,導致

原创 Unix哲學(《unix編程藝術》書摘)

Unix哲學 1. 模塊原則:使用簡潔的藉口拼合簡單的部件。 要編寫複雜的軟件又不至於一敗塗地的唯一方法就是降低其整體複雜度——用清晰的接口把若干簡單的模塊組合成一個複雜軟件。如此一來,多數問題只會侷限於某個局部,那麼就還有希望對局

原创 Nand Flash管理算法介紹之主要模塊介紹

本文把FTL管理劃分爲5個相對獨立的模塊,FTL的實現的過程中,可以根據需求進行組合。 Data Organization: 本模塊主要是管理Flash空塊的分配和組織。 在FTL管理中,Flash一般劃分爲兩個部分:元數據區域(m

原创 Nand Flash管理算法介紹之垃圾回收類型介紹

本文簡簡單單講述FTL垃圾回收的幾種基本的類型: 1. Greedy Algorithm 貪婪算法,找有效頁數最少的塊進行回收。因爲不考慮磨損均衡,所以可能會對某些塊進行多次擦除,導致這些塊比其它塊要更早達到PECS,有隱患。但是

原创 安卓平臺IO特性分析

背景 測試環境: 測試設備:Nexus5,32GB SanDisk INAND eMMC 4.51,無外掛SD卡。 操作系統:Android v4.4 IO監控軟件:作者自己搞的BIOtracer 測試內容:     選取常

原创 Nand Flash學習筆記1-Read的介紹

下面介紹下Flash讀操作。 Read:      直接測量被選中的Cell Vth不好實現。由於Flash Cell輸出電流和控制極電壓、導通電壓Vth相關,類似MOS管的輸出特性,所以可以通過測量電流來確定Cell的Vt

原创 eMMC:Command Queuing

Command Queuing:命令隊列。Host可以發送多條指令到Device,Device FW(Firmware,固件)可以通過優化指令的順序、提前準備數據,從而可以提高性能和降低損耗。隊列長度最多爲32條,由Device指定。

原创 eMMC:Cache簡介-0

Cache是eMMC中臨時存儲數據的位置,相比於Nand,Cache可以提供更快的存取速度。一般可以用於臨時存放邏輯數據、算法表格等等。Cache大小由Devcie在EXT CSD中給出,以1KB爲單位。Host可以通過設置EXT

原创 Nand Flash簡介-2

下面是Nand Flash介紹的第二節,主要是介紹下Nand Flash裏面結構和一些特性。 Nand Flash結構 圖1 上圖爲Nand Flash的結構,圖中這片Flash有8192個塊(Block),一個塊包含有64個頁(

原创 Nand Flash簡介-1

博主以後想講下FTL(Flash Translation Layer),所以先從Nand Flash先講起。由於是第一次寫博客,文筆、排版、邏輯性不好,所以多多見諒。本文章主要從下面幾個方面來介紹Nand Flash: Nand Fla

原创 Nand Flash學習筆記0-浮柵的介紹

最近對Nand Flash很有興趣,重新整理了Nand Flash相關的只是。下面是分享下學習到Nand Flash基本的存儲單元的知識,如果有理解錯誤的地方,請指出,謝謝。 圖1 浮柵的結構 浮柵       Flash

原创 Nand Flash學習筆記2-Program的介紹

編程原理         編程是通過FowlerNordheim (FN)隧穿來實現的,給TOX(Tunnel Oxide,隧道氧化物)增加強電場時,電子可以通過TOX,進入浮柵。優點是電流小,可以多個Cells同時操作。