下面介紹下Flash讀操作。
Read：
直接測量被選中的Cell Vth不好實現。由於Flash Cell輸出電流和控制極電壓、導通電壓Vth相關，類似MOS管的輸出特性，所以可以通過測量電流來確定Cell的Vth。
以上圖SLC模式爲例，擦除後的存儲單元Vth小於0V，編程後Vth大於0V。在沒有被選中的存儲單元控制極上增加電壓VPASSR，然後在選中的Cell控制極增加電壓VREAD=0V，如果在位線上能檢測到電流，那麼說明選中Cell導通了，處於擦除狀態”1“，反之Cell沒有導通，處於狀態”0“。
由於Flash架構原因，當需要檢測一個Cell的Vth，那麼需要把同一位線上其它Cell導通。在它們控制極上偏置電壓VPASSR(需要大於所有Cell的Vth，保證每個Cell都導通)。這些Cell導通後存在電阻，會對串電流有輕微的影響。
上圖表示選中Cell的電流-電壓特性，可以分爲三個階段。
階段A：選中的Cell沒有導通。
階段B：選中的Cell導電性逐漸增加
階段C：選中的Cell完全導通，其它未選中的Cell將電流限制在ISSAT.
RON爲單個Cell串聯的電阻值，VBL爲Bitline上的電壓。RON也和Vth有關，Vth越大，RON越大。如果每個Cell都編程到了最高Vth，那麼ISSAT的值就和上圖的虛線所示，可以看到影響還是挺大的。從圖上可以看到RON在階段B的影響比較小，所以靠近點O來檢測電流會更好。
Read Disturb:
世界上只有兩種FTL工程師，一種是遇到了Read Disturb問題的工程師，還有一種是將要遇到Read Disturb問題的工程師。
當讀取一個Cell時，同一根線上的其他Cell都需要處於導通狀態，所以需要在它們控制極上增加電壓VPASS，相當於輕微的編程操作。當重複進行操作的時候，VPASS也會導致那些未選中的Cell電荷增加，Vth往正向移動，嚴重的話可能會導致讀出錯。
P/E Cycles多的時候，Read Dsiturb作用的更加明顯。
Read Disturb並不會破壞Cell，重新擦除塊和編程就會恢復正常的。
讀電壓動態調節:
上圖是MLC Flash Cell的Vth分佈。“11”爲擦除後的狀態。Flash編程使用一種增量步進的編程方法，每次編程後都會校驗一下，直到Cell Vth分佈到了指定的位置。上面的Flash就有3個編程校驗電壓，VFY0、VFY1、VFY2。
爲了讀出Cell中的信息，會用到3組讀電壓VREAD0、VREAD1、VREAD2。讀電壓一般在兩個相鄰狀態分佈的中間位置。這樣的話採樣的窗口是最大的。
不過Cell Vth對溫度很敏感，溫度提高，Vth降低，反之，Vth提高。會導致讀窗口縮小，比如說，在上面的MLC Flash中，高溫情況下Vth降低，導致VREAD1更靠近“00”。
Vth變化和溫度的關係大概爲-1.5mV/℃。在-40℃到90℃變化過程中，Vth變化接近200mV，變化還是很大的。 所以讀電壓調壓器和校驗電壓調壓器需要隨着溫度變化進行改變，從而適應Vth的改變。
祝大家國慶節和中秋節快樂咯。
End.