RAM：隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作爲操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
內存速度非常快，但是同時也有一個特性就是易失性，當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。
硬盤雖然非易失性，但是速度非常慢。所以硬盤和內存之間就有非常多的非易失性存儲，一直在發展。今天簡單梳理下常見的：
SSD :
固態硬盤（Solid State Drives），簡稱固盤，固態硬盤（Solid State Drive）用固態電子存儲芯片陣列而製成的硬盤，由控制單元和存儲單元（FLASH芯片、DRAM芯片）組成。
NVDIMM：
non-volaitle dual inline memory module,一種集成了普通DDR RAM + 非易失性FLASH芯片的內存條。在系統異常掉電時，NVDIMM藉助其後備超級電容作爲動力源，在短時間內將數據放入flash芯片，從而永久保存內存中的數據。相比其他介質的非易失性內存，NVDIMM已逐步進入主流服務器市場，micron，viking，AGIGA等國外內存廠商皆以推出自己的NVDIMM。
3D Xpoint:
3D Xpoint拋棄了在NAND芯片的核心-----晶體管。 NAND的工作原理是運動的電子來回在稱爲其“浮動柵”的晶體管來回跑到，來表示二進制代碼的零與一。 這種技術的一個問題是，它不能在一個時間從新單個比特的數據。需要較大的信息塊被擦拭，然後重寫以合併更改。
3D XPoint的工作原理與NAND存在着根本性的不同。NAND通過絕緣浮置柵極捕獲不同數量的電子以實現bit值定義，而3D XPoint則是一項以電阻爲基礎的存儲技術成果，其通過改變單元電阻水平來區分0與1。
3D XPoint的結構非常簡單。它由選擇器與內存單元共同構成，二者則存在於字線與位線之間(因此纔會以‘交叉點’來定名)。在字線與位線之間提供特定電壓會激活單一選擇器，並使得存儲單元進行寫入(即內存單元材料發生大量屬性變化)或者讀取(允許檢查該存儲單元處於低電阻還是高電阻狀態)。我猜測，寫入操作要求具備較讀取更高的電壓，因爲如果實際情況相反，那麼3D XPoint就會面臨着上在讀取存儲單元時觸發大量材料變化(即寫入操作)的風險。
上圖是對比各種介質之間的延遲，3d xpoint的延遲在10ns級別，總的來說，而3D XPoint架構其實是一種大容量存儲技術，雖然比DRAM要慢，但它比DRAM要便宜，比NAND要快，但是比NAND要貴，最重要的是它是非易失性的。所以，斷電之後數據不丟失。
就基於3D XPoint的產品來講，其最爲立竿見影的應用方式就是在DRAM與SSD之間充當新的存儲層。在計算科學發展的歷史長河當中，存儲與處理器之間的其它層級一直在不斷出現——芯片內多級緩存、芯片外緩存、以及SSD緩存等等——而3D XPoint內存將充當這一體系當中的另一種新型存儲介質，從而彌合DRAM與現有高速非易失性存儲方案之間的空白區域。通過將3D XPoint作爲另一種緩存層，這項技術將被應用於未來的高速應用程序（最典型就是數據庫應用，緩存應用）當中，從而克服目前內存容量或者存儲延遲給這類應用造成的拖累。
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