SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH區別

RAM / ROM 存儲器
　　ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。
　　RAM 有兩大類：
　　1) 靜態RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。
　　2) 動態RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。

　　DRAM分爲很多種，常見的主要有FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裏介紹其中的一種DDR RAM。

　　DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。
　　這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有着成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準～Rambus DRAM。
　　在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
　　ROM也有很多種：
　　1) PROM(可編程ROM)，是一次性的，也就是軟件灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了；
　　2) EPROM (可擦除可編程ROM)，是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。
　　3) EEPROM，是通過電子擦除，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。
　　舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最後撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通話記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因爲當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。
內存工作原理　　　
　　內存是用來存放當前正在使用的(即執行中)的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存(即DRAM)。
　　動態內存中所謂的“動態”，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。
　　具體的工作過程是這樣的：
　　一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。
　　但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因。
　　刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認爲其代表1，並把電容充滿電；若電量小於 1／2，則認爲其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。　
Flash存儲器
　　FLASH 存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據(NVRAM 的優勢)，U盤和MP3裏用的就是這種存儲器。

　　在過去的20年裏，嵌入式系統一直使用ROM (EPROM)作爲它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM (EPROM)在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。
　　目前Flash主要有兩種NOR Flash和NAND Flash。
　　NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH裏面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
　　NAND Flash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，採用這種技術的Flash比較廉價。
　　用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flash以外，還用一塊小的NOR Flash來運行啓動代碼。
　　一般小容量的用NOR Flash，因爲其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息。
　　而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。
　　目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。
　　NOR 和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。
　　Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。
　　緊接着，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁盤一樣可以通過接口輕鬆升級。
　　但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR 和NAND閃存。
　　"flash存儲器"經常可以與相"NOR存儲器"互換使用。
　　許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對於NOR技術的優越之處，因爲大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
　　NOR 是現在市場上主要的非易失閃存技術。
　　NOR一般只用來存儲少量的代碼，NOR主要應用在代碼存儲介質中。
　　NOR的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬於芯片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在(NOR型) flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。
　　在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
　　NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。
　　NOR flash佔據了容量爲1～16MB閃存市場的大部分。
　　NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。
　　應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統接口。
　　1) 性能比較
　　flash閃存是非易失存儲器，可以對稱爲塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。
　　任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。
　　NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫爲1。　
　　由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間爲5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。　　
　　執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素：
　　a、 NOR的讀速度比NAND稍快一些；
　　b、 NAND的寫入速度比NOR快很多；　
　　c、 NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快；
　　d、 大多數寫入操作需要先進行擦除操作；
　　e、 NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
　　2) 接口差別
　　NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。　　
　　NAND器件使用複雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同，8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
　　NAND讀和寫操作採用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。
　　3) 容量和成本
　　NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更爲簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
　　NOR flash佔據了容量爲1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
　　4) 可靠性和耐用性　
　　採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性，對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案，可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
　　a、 壽命(耐用性)　
　　在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次，NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除週期優勢。
　　典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。　
　　b、 位交換　
　　所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特(bit)位會發生反轉或被報告反轉了。
　　一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
　　當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見於NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。
　　這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。　　
　　c、壞塊處理　
　　NAND器件中的壞塊是隨機分佈的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。　
　　NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記爲不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
　　5) 易於使用　
　　可以非常直接地使用基於NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。　
　　由於需要I/O接口，NAND要複雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
　　在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因爲設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味着在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
　　6) 軟件支持
　　當討論軟件支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優化。
　　在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。　
　　使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
　　驅動還用於對DiskOnChip產品進行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
　　NOR FLASH的主要供應商是INTEL、MICRO等廠商，曾經是FLASH的主流產品，但現在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優點是可以直接從FLASH中運行程序，但是工藝複雜，價格比較貴。
　　NAND FLASH的主要供應商是SAMSUNG和東芝，在U盤、各種存儲卡、MP3播放器裏面的都是這種FLASH，由於工藝上的不同，它比NOR FLASH擁有更大存儲容量，而且便宜。但也有缺點，就是無法尋址直接運行程序，只能存儲數據。另外NAND FLASH 非常容易出現壞區，所以需要有校驗的算法。

　　在掌上電腦裏要使用NAND FLASH 存儲數據和程序，但是必須有NOR FLASH來啓動。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啓動程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啓動機器，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運行才行，挺麻煩的。

總結
　　DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由於柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，並且每讀出一次數據之後也需要補充電荷，這個就叫動態刷新，所以稱其爲動態隨機存儲器。
　　由於它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。
　　SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。

　　SRAM 利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。

　　以上主要用於系統內存儲器，容量大，不需要斷電後仍保存數據的。

　　Flash ROM 是利用浮置柵上的電容存儲電荷來保存信息，因爲浮置柵不會漏電，所以斷電後信息仍然可以保存。
　　也由於其機構簡單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。
　　Flash rom寫入前需要用電進行擦除，而且擦除不同，EEPROM可以以byte(字節)爲單位進行，flash rom只能以sector(扇區)爲單位進行。不過其寫入時可以byte爲單位。
　　flash rom主要用於bios，U盤，Mp3等需要大容量且斷電不丟數據的設備。