摩尔在1965年文章中指出，芯片中的晶体管和电阻器的数量每年会翻番，原因是工程师可以不断缩小晶体管的体积。这就意味着，半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去。1975年，摩尔又修正了摩尔定律，他认为，每隔24个月，晶体管的数量将翻番。根据摩尔定律，芯片设计师的主要任务便是缩小晶体管的大小，然后让芯片能够容纳越多的晶体管。晶体管的增加可以让设计师为芯片添加更多的功能，比如3D显卡，从而节约成本。
摩尔定律当前还是继续有效的，尽管很多分析师与企业的官员已经放言摩尔定律将过时，但它可能仍然发挥作用。从理论的角度讲，硅晶体管还能够继续缩小，直到4纳米级别生产工艺出现为止，时间可能在2023年左右。到那个时候，由于控制电流的晶体管门(transistor gate) 以及氧化栅极(gate oxide)距离将非常贴近，因此，将发生电子漂移现象(electrons drift)。如果发生这种情况，晶体管会失去可靠性，原因是晶体管会由此无法控制电子的进出，从而无法制造出1和0出来。