STM32F103 flash地址與數據存入時高低位的關係

這幾天做東西用到了stm32f103的內置flash模擬eeprom，其中有個32位的數據需要存儲，但是正點原子的例程並沒有給出直接存取32位數據的函數，於是乎自己寫了個。

首先複習概念，在stm32f103中：
8比特（bit）=1字節（Byte）
4字節（Byte）=1字（Word）

存入32位數據**（錯誤示範）**

void STMFLASH_WriteOneWord(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite)
{
	u16 temp16[2];

	temp16[0]=(u16)(DataToWrite>>16);
	temp16[1]=(u16)DataToWrite;
	
	STMFLASH_Write(WriteAddr,temp16,2);
}

原理很簡單就是把傳入的32位數直接拆成高16位和低16位再由正點的函數存進去。官方給的函數FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);實際也是把32位的數存了兩次16位。
接下來就是讀取了，那麼問題來了，正點原子給了讀半字的程序：

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}

那我們讀一字（1 Word = 4 Byte = 32 bit）的時候能不能直接讀呢，或者像存的時候那樣分開讀再拼起來？
爲了測試，先向地址addr=0x800F000+42中存入0xaa,再向地址addr=0x800F000+44中存入0x55，模擬了用上面的方法在addr=0x800F000+42處存入數據0x00aa0055。
首先是直接讀，程序如下簡單粗暴：

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
	return *(vu32*)faddr;
}

這個方法得到的值是‭5570730‬，也就是‭0x005500AA‬，由此可知這種方法並不可行，順便得出了結論：stm32f103是低位優先的硬件。（相關文章鏈接）
在這種條件下，有兩種方法解決這個問題讓:
1.反着存 2.反着讀。我選擇1。
所以改動存的函數爲：

void STMFLASH_WriteOneWord(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite)
{
	u16 temp16[2];

	temp16[1]=(u16)(DataToWrite>>16);
	temp16[0]=(u16)DataToWrite;
	
	STMFLASH_Write(WriteAddr,temp16,2);
}