從DDR的訪存特性來說，對同一塊DDR，兩個訪存操作之間需要一些時間間隔，這裏麪包括CL (CAS時延）, tRCD（RAS到CAS時延），tRP（預充電有效週期）等。
爲了提高DDR的訪存速度，可以使用多通道(channel)技術。典型的臺式機和筆記本CPU很早就支持雙通道，現在還加入了三通道。如果數據分佈在插在不同的通道上的內存條上，內存控制器可以不管上面這些延遲啊時序啊，同時讀取他們，速度可以翻倍甚至三倍（如果支持的通道數更多，則速度提高的更多）。高通的第一代ARM服務器SoC芯片使用了4個DDR控制器，即支持四通道。
但是由於程序的侷限性，一個程序並不會把數據放到各個地方，從而落入另一個DIMM裏，往往程序和數據都在一個DIMM裏，加上CPU的Cache本身就會把數據幫你預取出來，這個多通道對速度的提高就不那麼明顯了。
這時就要使用另外一種提高速度的方法了，就是讓同一塊內存分佈到不同的通道中去，這種技術叫做交織，Interleaving. 這樣無論Cache命中與否都可以同時存取，多通道的技術才能發揮更大的用處。
作者：airland
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