flash較之eeprom的一大缺點是擦除以頁或扇區爲單位。這樣帶來的問題是，即使用戶只需要修改一個字節的內容，必須先擦除該字節所在的整頁，然後還要將之前該頁已存在的內容重複寫入flash。如果主機每兩次寫之間不加延時，很大可能導致寫入失敗或其他問題
大多數應用場景中，該缺點不會顯得那麼突出，因爲用戶通常只需要修改一次flash即可完成自己的需求。在某些特殊場景下，
用戶會對一塊已經有數據的flash區域進行內容修改，接口通過IIC，單字節操作。這樣若用戶兩次寫操作間隔很短，因爲每次寫flash需要先進行擦除，佔用比較長的時間，是無法實現此需求的。
EFM32ZG平臺flash分爲main block(32K)+UD page（1K）。
因此想到用UD做寫緩衝，每次上電判斷UD區是否有內容更新。若有，更新到對應用戶EEPROM。
這樣即可實現，每次用戶寫操作，MCU不需要先進行擦除操作，因爲總有一塊區域是全FFh的，可以隨時以單字節寫入方式進行操作，省去擦除的時間。
該簡易算法已經在我們的SFP+光模塊產品上實現。