一、SRAM
SRAM存儲器的存儲元爲一個觸發器。
SRAM的優點是存取速度快，但存儲容量不如DRAM大。
任何一個SRAM，都有三組信號線與外部打交道：地址線、數據線和控制線。
如下圖表示存儲容量爲32K*8位的SRAM邏輯結構圖，即256行*128列*8位。
二、DRAM
1.簡介
DRAM存儲器的存儲元是由一個MOS晶體管和電容器組成的記憶電路。
與SRAM的區別：
（1）增加了行地址鎖存器和列地址鎖存器。控制分時傳送地址碼。
（2）增加了刷新計時器和相應的控制電路。DRAM讀出後必須刷新，而未讀寫的存儲元也要定時刷新，而且要按行刷新，所以刷新計數器的長度等於列地址鎖存器。刷新操作與讀/寫操作是交替運行的，所以通過2選1多路開關提供刷新行地址或正常讀/寫的行地址。
2.刷新
DRAM存儲位元是基於電容器上的電荷量存儲，這個電荷量隨着時間和溫度減少，所以必須定時刷新，以保持它們原來記憶的正確信息。一次讀操作會自動地刷新選中行中的所有存儲位元。
刷新操作分爲集中式刷新和分散式刷新。
1)集中式刷新：DRAM所有行在每一個刷新週期中都被刷新。如刷新週期爲8ms的內存來說，所有行的集中式刷新必須每隔8ms進行一次。8ms分爲兩部分：前一段時間進行正常讀/寫操作，後一段時間（8ms至正常讀/寫週期時間）進行集中刷新操作，數據線輸出被封鎖。
2)分散式刷新：每一行的刷新插入到正常的讀/寫週期中。如DRAM由1024行，若刷新週期爲8ms，則每一行必須每隔8ms/1024=7.8微秒進行一次。