一、SRAM
SRAM存储器的存储元为一个触发器。
SRAM的优点是存取速度快，但存储容量不如DRAM大。
任何一个SRAM，都有三组信号线与外部打交道：地址线、数据线和控制线。
如下图表示存储容量为32K*8位的SRAM逻辑结构图，即256行*128列*8位。
二、DRAM
1.简介
DRAM存储器的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路。
与SRAM的区别：
（1）增加了行地址锁存器和列地址锁存器。控制分时传送地址码。
（2）增加了刷新计时器和相应的控制电路。DRAM读出后必须刷新，而未读写的存储元也要定时刷新，而且要按行刷新，所以刷新计数器的长度等于列地址锁存器。刷新操作与读/写操作是交替运行的，所以通过2选1多路开关提供刷新行地址或正常读/写的行地址。
2.刷新
DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储，这个电荷量随着时间和温度减少，所以必须定时刷新，以保持它们原来记忆的正确信息。一次读操作会自动地刷新选中行中的所有存储位元。
刷新操作分为集中式刷新和分散式刷新。
1)集中式刷新：DRAM所有行在每一个刷新周期中都被刷新。如刷新周期为8ms的内存来说，所有行的集中式刷新必须每隔8ms进行一次。8ms分为两部分：前一段时间进行正常读/写操作，后一段时间（8ms至正常读/写周期时间）进行集中刷新操作，数据线输出被封锁。
2)分散式刷新：每一行的刷新插入到正常的读/写周期中。如DRAM由1024行，若刷新周期为8ms，则每一行必须每隔8ms/1024=7.8微秒进行一次。