MEMS VOA光衰減器的工作原理

MEMS(Micro Electro Mechanical System,微機電系統)技術被廣泛應用於光纖通信系統中,MEMS技術與光學技術的結合,通常稱作MOEMS技術。最爲常用的MOEMS器件包括光衰減器VOA、光開關OS、可調光學濾波器TOF、動態增益均衡器DGE、波長選擇開關WSS和矩陣光開關OXC。

VOA在光纖通信系統中常用於光功率均衡,在各種技術方案中,MEMS VOA具有尺寸小、成本低和易於製造的優勢。最常用的MEMS VOA有兩類:MEMS Shutter型和MEMS微鏡型,前者通常以熱效應驅動,後者通常以靜電力驅動。

MEMS Shutter型VOA
基於MEMS Shutter的VOA結構如圖1所示,MEMS Shutter被插入兩根光纖之間的光路,衰減量取決於被阻擋的光束截面大小。在實際應用中,這種VOA也可以設計成反射型。
MEMS VOA光衰減器的工作原理
圖1. 基於MEMS shutter的VOA結構

MEMS微鏡型VOA
如圖2所示爲基於MEMS扭鏡的VOA結構,它以雙光纖準直器的兩根尾纖作爲輸入/輸出端口,準直光束被MEMS微鏡反射偏轉,從而聯通輸入/輸出端口之間的光路。扭動微鏡讓光束髮生偏轉,從而產生光功率的衰減。
MEMS VOA光衰減器的工作原理
圖2. 基於MEMS扭鏡的VOA結構

MEMS扭鏡通常有兩種結構,即平板電極和梳齒電極,如圖3所示。考慮0~20dB的衰減範圍,前者通常需要>10V的驅動電壓,後者可將驅動電壓降至5V以下。然而,僅僅一個微小的粉塵顆粒就會卡住梳齒電極,因此其生產良率較低。採用梳齒電極的MEMS微鏡,通常需要在超淨環境下封裝。
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圖3. 兩類MEMS扭鏡:平板電極和梳齒電極

MEMS微鏡型VOA中的WDL問題
基於MEMS shutter和MEMS微鏡的VOA均有廣泛應用,前者性能指標較好,但裝配工藝相對複雜;後者易於裝配但WDL(波長相關損耗)相對較大。在寬帶應用中,此類VOA會對不同波長產生不同的衰減量,此現象定義爲WDL。寬帶應用中,要求WDL指標越小越好。

WDL問題源於單模光纖SMF中的模場色散,我們知道,光纖中的不同波長具有不同的模場直徑,長波的模場直徑更大一些。圖4所示爲光纖中模場的色散情況。
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圖4. 光纖中模場色散情況

如圖4所示,光束被MEMS微鏡反射偏轉,不同波長的的光斑均偏離出射光纖的纖芯。在未經優化的VOA中,所有波長的光斑具有相同的偏移量。如式(1),衰減量A取決於偏移量X和模場半徑ω。
MEMS VOA光衰減器的工作原理 (1)

在一個相對有限的波長範圍內,如C波段(1.53~1.57μm),單模光纖中的模場色散情況可以式(2)作線性近似處理[3]。
MEMS VOA光衰減器的工作原理(2)

對於常用的康寧公司SMF-28型單模光纖,上式中的係數爲a=5.2μm、b=3.11@λc=1.55μm。當中心波長λc處的衰減量Ac給定時,得到光斑的偏移量Xc如式(3)。
MEMS VOA光衰減器的工作原理 (3)

綜合式(1-3)可得到波長範圍λs~λl內的WDL如式(4),其中下標s, c, l分別代表波段範圍內的短波、中波和長波。
MEMS VOA光衰減器的工作原理(4)

根據式(4),當VOA的衰減量Ac設置越大時,光斑的偏移量Xc也越大,因此會產生更大的WDL,如圖5, 圖6所示。根據圖6,在衰減範圍0~20dB和波長範圍1.53~1.57μm之內,最大WDL可達0.96dB。商用MEMS VOA可測得最大WDL爲1.5dB,這是因爲光學系統色散的影響,造成不同波長的光斑在輸出光纖端面的偏移量不同。這種情況與圖4所示情況不同,在圖4中,所有光斑具有相同的偏移量。
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圖5. 對應不同衰減水平的WDL

MEMS VOA光衰減器的工作原理
圖6. 對應不同衰減水平的WDL

MEMS微鏡型VOA的WDL優化
MEMS微鏡型VOA中的WDL源於兩個因素:模場色散和光學系統色散,兩個因素的影響累加起來,讓最大WDL達到1.5dB。那麼這兩個因素的影響能否相互抵消,以助於減小WDL呢?答案是可以,但需要精細的分析和設計。

根據式(1),長波具有更大的模場直徑,因此其衰減量更小。如圖4.16所示,如果光學系統能夠對長波的光斑產生更大的偏移量,就可以增加長波的衰減量,從而對衰減譜線產生均衡作用。
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圖7. 光學系統的色散與模場色散相互抵消情況

然而,根據式(4),因兩個因素產生的WDL,只能在某個特定的衰減水平Ac下完全相互抵消。當VOA器件的衰減量被設置爲一個異於Ac的數值時,將會存在剩餘WDL,如圖8所示。

從圖8中看到,在優化之前,最大WDL產生於衰減量爲20dB時。如果通過優化,將衰減量爲20dB時的WDL完全抵消,則最大WDL產生於衰減量爲4dB時。 如果將衰減量爲13dB時的WDL完全抵消,則在0~20dB的衰減範圍內,最大WDL將<0.2dB。
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圖8. 兩個引起WDL的因素相互抵消情況

目前已有各種方案,可通過光學系統產生相反的色散。在圖9中,準直透鏡與MEMS微鏡之間插入了一個棱鏡,因而光學系統的色散與模場色散相互抵消。然而,額外加入的棱鏡會增加VOA器件的成本和複雜度。圖10展示了另一個解決方案,該方案要求製造準直透鏡的玻璃材料具有很高的色散,並且透鏡前端面傾角>10°(在現有器件中,這個角度通常爲8°)。
MEMS VOA光衰減器的工作原理
圖9 通過引入棱鏡來優化WDL ; 圖10 通過高色散的準直透鏡來優化WDL

基於對光學系統色散的透徹分析,華中科技大學的萬助軍等人提出了第三種解決方案,準直透鏡的材料爲常用的N-SF11玻璃,透鏡的曲率半徑也是常用的R=1.419mm。爲了優化WDL指標,得到準直透鏡的其他參數之間的關聯曲線如圖4.20所示,曲線上任意一點給出準直透鏡的一組參數:端面角度φ和透鏡長度L。基於這些參數加工準直透鏡,VOA器件的WDL指標將得到優化。注意圖11中的端面角度φ均爲負值,因此雙光纖插針與準直透鏡需要按照圖12(d)中的方向進行裝配,而非如圖12(c)中的現有MEMS VOA裝配方式。他們最終裝配的MEMS微鏡VOA如圖13所示,據報道,在衰減範圍0~20dB和波長範圍1.53~1.57μm之內,測得最大WDL<0.4dB。
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圖11. WDL優化之後準直透鏡參數之間的關係

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圖12. 通過調整準直透鏡端面角度優化WDL指標

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圖13. MEMS微鏡VOA樣品

隨着DWDM技術的快速發展,MEMS VOA的在光通信網絡中的應用將越來越廣泛。億源通立足於現有業務的需求以及面向未來網絡發展需求,推出了一系列自主研發的MEMS技術產品, 包括1×48通道的光開關, 與 WDM、PLC 或 PD 集成的 MEMS 光開關模塊,以及MCS模塊等。

億源通,是一家專注於光通信無源基礎器件研發、製造、銷售與服務於一體的無源光通信器件OEM/ODM廠商,主要生產和銷售光纖連接類產品(光纖連接器、適配器、跳線),WDM波分複用器,PLC光分路器,MEMS光開關等核心光無源基礎器件,廣泛應用於光纖到戶、4G/5G移動通信、互聯網數據中心、國防通信等領域。

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