它是一個針對單個鋰電池和聚合物鋰電池的，5A開關模式電池充電芯片。它集成輸入反轉模塊FET（RBFET-Q1），高端開關FET（HSFET-Q2），低端開關FET（LSFET-Q3）和電池FET（BATFET-Q4）。在高端門驅集成升壓二極管。
功能描述：
1. 設備POR（Power-On-Reset）
VBUS和BAT給內部偏置電路供電，當VBUS大於Vvbus_uvloz或BAT大於Vbat_uvloz時，會啓動休眠比較器，電池耗盡比較器和BATFET。I2C接口準備通信，所有的寄存器復位到默認值。在POR後，主控能夠訪問所有寄存器。
2.設備從電池供電啓動
當電池存在且其電壓高於耗盡截止閾值Vbat_dplz時，BATFET打開且將電池與系統相連接。REGN LDO保持關閉以最小化靜默電流。BATFET的小Rds(on)以及BAT上的低靜默電流可最小化傳導損耗同時最大化電池運行時間。
設備通過BATFET管理放電電流，當系統超載或短路（IBAT>Ibatfet_ocp）時，設備立刻關閉BATFET並設置BATFET_DIS位，表示BATFET禁止，只有當充電器再次插入或其他使能BATFET方法開啓時，纔會重新使能BATFET。
3.設備從充電器供電啓動
當充電器插入時，設備檢測輸入電源電壓，開啓REGN LDO和所有的偏置電路。當AUTO_DPDM_EN位設置後，在降壓轉換器啓動前，檢測設置輸入電流限制值。從插入充電器的輸入電源啓動時序如下所示：
a. 開啓 REGN LDO
REGN LDO的內部偏置電路與HSFET和LSFET門驅一樣，LDO也有一個偏置軌到TS外部電阻。STAT的上拉也可與REGN相連。當所有一下條件滿足是，REGN使能：
①VBUS大於Vvbus_uvloz
②在降壓模式，VBUS大於Vbat+Vsleepz，在升壓模式VBUS小於Vbat+Vsleep
③延遲220ms後完成
若以上任一條件不滿足，則設備處於高阻態，且REGN LDO關閉。在HIZ態，設備低於Ivbus_hiz。設備在HIZ時電池啓動系統。
b.輸入源資格確認
在REGN LDO啓動後，設備檢測輸入電源提供的電流大小能力，輸入源必須滿足以下條件才啓動降壓轉換：
①VBUS電壓低於Vacov
②當拉取Ibadsrc電流（一般爲30mA）時，VBUS電壓高於Vvbusmin
當以上所有條件滿足時，狀態寄存器VBUS_GD位會被設置爲高，同時INT腳產生一箇中斷信號給到host。若設備檢測充電器類型失敗，則每2s重複一次檢測流程。
c.基於USB2.0的插入充電器類型檢測，來設置默認的輸入電流限制寄存器以及充電器類型
d.輸入電壓限制閾值設置
f.轉換器上電（Conerter Power-up）
4.輸入源類型檢測
設置VBUS_GD位和REGN LDO上電後，若設置了AUTO_DPDM_EN位，則充電器設備運行輸入電源類型檢測。
bq25985遵循USB電池充電規範BC1.2，且通過USB D+/D-線檢測輸入電源（SDP/CDP/DCP）和非標準適配器。另外當檢測到USB DCP時，它在D+/D-上初始化可調節的高電壓適配器握手信號。若設置MAXC_EN和HVDCP_EN位，則設備支持MaxCharge握手協議。
檢測輸入電源類型後，會產生一個INT中斷脈衝給host。另外會改變以下寄存器和管腳：
①. 會設置輸入限流IILIM寄存器的限流值
②.設置PG_STAT位
③.更新SDP_STAT位以表示USB100或其他輸入源
host也可修改IILIM寄存器來改變輸入限流值，不管輸入電流優化器（ICO）是否使能，充電器輸入電流都可以通過IINLIM寄存器低位或ILIM管腳來設置。
若AUTO_DPDM_EN禁止，則旁路輸入電源類型檢測。輸入電流限流寄存器（IINLIM），VBUS_STAT和SPD_STAT位與前一個值相同。
5. D+/D-檢測設置輸入電流限流
bq25890包含D+/D-自動做輸入電源檢測以設置輸入電流限制。D+/D-檢測包含標準USB BC1.2，非標準適配器和可調整的高電壓適配器檢測。當輸入電源插入時，設備開始標準USB BC1.2檢測。USB BC1.2能夠識別標準下行端口SDP，充電下行端口CDP和專用充電端口DCP。當500ms的DCD（Data Contact Detection）定時器超時時，則使用非標準適配器檢測來設置輸入限流值。
當DCP檢測到時，設備初始化可調整的高電壓適配器握手信號，包括MaxCharge等。握手將輸入電源從5V提升到9V或12V。可通過清除MAXC_EN和HVDCP_EN位來禁止可調整高電壓適配器握手信號。
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