開關電源EMI整改經驗總結

開關電源EMI整改中,關於不同頻段干擾原因及抑制辦法:

一、1MHZ以內----以差模干擾爲主(整改建議)

  1. 增大X電容量;

  2. 添加差模電感;

  3. 小功率電源可採用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

二、1MHZ—5MHZ—差模共模混合

採用輸入端並聯一系列X電容來濾除差摸干擾並分析出是哪種干擾超標並以解決,(整改建議)

  1. 對於差模干擾超標可調整X電容量,添加差模電感器,調差模電感量;

  2. 對於共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

  3. 也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。

三、5M—以上以共摸干擾爲主,採用抑制共摸的方法。(整改建議)

對於外殼接地的,在地線上用一個磁環串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環。

處理後端輸出整流管的吸收電路和初級大電路並聯電容的大小。

四、對於20–30MHZ,(整改建議)

  1. 對於一類產品可以採用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;

  2. 調整一二次側間的Y1電容位置及參數值;

  3. 在變壓器外面包銅箔;變壓器最裏層加屏蔽層;調整變壓器的各繞組的排布。

  4. 改變PCB LAYOUT;

  5. 輸出線前面接一個雙線並繞的小共模電感;

  6. 在輸出整流管兩端並聯RC濾波器且調整合理的參數;

  7. 在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

  8. 在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

  9. 可以用增大MOS驅動電阻。

五、30—50MHZ 普遍是MOS管高速開通關斷引起(整改建議)

  1. 可以用增大MOS驅動電阻;

  2. RCD緩衝電路採用1N4007慢管;

  3. VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;

  4. 或者輸出線前端串接一個雙線並繞的小共模電感;

  5. 在MOSFET的D-S腳並聯一個小吸收電路;

  6. 在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

  7. 在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;

  8. PCB心LAYOUT時大電解電容,變壓器,MOS構成的電路環儘可能的小;

  9. 變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構成的電路環儘可能的小。

50—100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起

  1. 可以在整流管上串磁珠;

  2. 調整輸出整流管的吸收電路參數;

  3. 可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻;

  4. 也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點)。

  5. 增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。

200MHZ以上開關電源已基本輻射量很小,一般可過EMI標準

補充說明:

開關電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述。

開關電源是高頻產品,PCB的元器件佈局對EMI。請密切注意此點。

開關電源若有機械外殼,外殼的結構對輻射有很大的影響。請密切注意此點。

主開關管,主二極管不同的生產廠家參數有一定的差異,對EMC有一定的影響。

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