我們知道MOS管是電壓控制的，從理論上MOS管電流爲零。但是半導體不是理想器件，不可避免的會存在一些寄生參數。 閱讀LT芯片手冊可以知道，柵極驅動電流公式如下圖。
Fsw爲開關頻率，Qg爲mos管柵極充滿所需電荷 。 MOS管以BSC109N10NS3爲例 ，查看該mos管芯片手冊，可以知道
Qg爲50nC左右。通過上面公式計算Igate = 25mA。 但是問題來了，如下圖
INTVcc的電流驅動能力爲23mA，也就是說開關頻率大概超過500K後，就無法正常驅動這個MOS管了，但是我把開關頻率改到900K後，電路從表面上運行正常。爲了一探究竟，我決定測試一下MOS管的驅動波形。
波形大致看起來問題不大，放大波形，可以看到柵極電壓上升過程中有振鈴，這個其實是MOS管的彌勒效應引起的震盪。這個震盪無疑加大了MOS管的開關損耗。之前是在談論MOS管驅動電流問題，這個震盪問題其實從側面也反應了這個芯片在Qg = 50nC，開關頻率 = 900KHz情況下，驅動能力不足的問題。